公开(公告)号：CN102073004B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200910241544.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓彦 ,  杨佳琦 ,  康晋锋 ,  杨竞峰 ,  韩汝琦 ,  陈冰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。

公开(公告)号：CN101281953A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810105176.8

申请日：2008-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘力锋 ,  孙兵 ,  刘晓彦 ,  王漪 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候，阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此，本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道，使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。

公开(公告)号：CN1851932A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610011765.0

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/43 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极，其中衬底阻挡层采用禁带宽度介于3eV至6eV，且体内陷阱态密度小的材料，衬底阻挡层阻挡存储电荷的回迁，但是基本不阻挡衬底电子的写入，增强了数据保存特性，使得该存储器件的总体性能得以显著提升。

公开(公告)号：CN1851931A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610011764.6

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/43 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极，其中衬底阻挡层采用禁带宽度介于3eV至7eV，且体内陷阱态密度小的绝缘材料。类浮栅电荷存储层由多晶硅或金属构成。衬底阻挡层阻挡存储电荷的回迁，但是基本不阻挡衬底电子的写入，因此该存储器件的总体性能得以显著提升。

公开(公告)号：CN102073004A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910241544.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓彦 ,  杨佳琦 ,  康晋锋 ,  杨竞峰 ,  韩汝琦 ,  陈冰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。

公开(公告)号：CN101281952A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810105175.3

申请日：2008-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘力锋 ,  孙兵 ,  刘晓彦 ,  王漪 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜。阻变材料中HfO2、ZrO2和CeO2是晶格结构稳定，缺陷态较少的材料，Hf、Zr、Ce离子均呈+4价。在HfO2、ZrO2或CeO2中掺入+3价的金属元素离子，可以人为地引入缺陷。因此，通过使用掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜作阻变层，人为地控制缺陷产生的浓度，可有效地提高阻变存储的稳定性和可控性。