公开(公告)号：CN102073004A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910241544.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓彦 ,  杨佳琦 ,  康晋锋 ,  杨竞峰 ,  韩汝琦 ,  陈冰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。

公开(公告)号：CN102073004B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200910241544.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓彦 ,  杨佳琦 ,  康晋锋 ,  杨竞峰 ,  韩汝琦 ,  陈冰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。