公开(公告)号：CN1851931A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610011764.6

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/43 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极，其中衬底阻挡层采用禁带宽度介于3eV至7eV，且体内陷阱态密度小的绝缘材料。类浮栅电荷存储层由多晶硅或金属构成。衬底阻挡层阻挡存储电荷的回迁，但是基本不阻挡衬底电子的写入，因此该存储器件的总体性能得以显著提升。

公开(公告)号：CN1851932A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610011765.0

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  杨竞峰 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/43 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极，其中衬底阻挡层采用禁带宽度介于3eV至6eV，且体内陷阱态密度小的材料，衬底阻挡层阻挡存储电荷的回迁，但是基本不阻挡衬底电子的写入，增强了数据保存特性，使得该存储器件的总体性能得以显著提升。