公开(公告)号：CN101162759A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710176750.4

申请日：2007-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  许诺 ,  刘力锋 ,  孙啸 ,  刘晓彦 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供了一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属于微电子半导体技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘体－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为氧化锌薄膜。本发明由于采用了氮化钛/氧化锌组合结构，在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低电阻态之间的转变和记忆特性。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法，该方法包括：选择二氧化硅或硅为衬底材料，利用溅射法在衬底上制备底电极；在底电极上制备氧化锌薄膜；利用溅射法在氧化锌薄膜上制备氮化钛薄膜，利用光刻、刻蚀方法将所述氮化钛薄膜制备出电极图形；最后再利用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法在上一步已获得的结构基础上制得器件结构。

公开(公告)号：CN101159314A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710176547.7

申请日：2007-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  孙啸 ,  刘力锋 ,  许诺 ,  王漪 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦 ,  王阳元

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等各种薄膜制备方法结合退火工艺，首先在衬底上制备导电薄膜作为底电极，再在其上制备纯的或掺杂的二氧化铈氧化物薄膜，最后在氧化物薄膜上制作导电的顶电极，形成了一具有优异稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存储器的存储单元。