公开(公告)号：CN101016164A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710003498.7

申请日：2007-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  孙雷 ,  韩德东 ,  刘力锋 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  韩汝琦

IPC: C01G1/02 ,  C01G9/02 ,  C01G51/04 ,  H01L21/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的CoxZn1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。

公开(公告)号：CN101017720A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710001132.6

申请日：2007-01-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  孙雷 ,  韩德东 ,  刘力锋 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  韩汝琦

IPC: H01F1/40 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ti氧化物和Co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备CoxTi1－xO2材料，然后将CoxTi1－xO2材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoxTi1－xO2材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性CoxTi1－xO2薄膜时的靶材，具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。