公开(公告)号：CN108279333A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711432967.7

申请日：2017-12-26

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。

公开(公告)号：CN108172519A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711155095.4

申请日：2017-11-17

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/67121 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供了一种刚性电极压接封装功率半导体器件封装方法、及系统，其中，方法可以包括：叠层组件的层叠方法，所述叠层组件包括按预定层叠顺序层叠的多种部件，其特征在于，所述方法包括：获取各个所述部件的厚度值；根据所述部件的厚度值计算叠层组件的厚度的方差；根据最小方差的层叠方式形成所述叠层组件。可以使组装标准一致，可以尽量减小叠层组件之间的高度差，使得各组件之间承受的压力较为均匀，各组件中的部件之间接触良好。可以有效减低芯片失效率，大幅度提高封装效率和产能。

公开(公告)号：CN108169158A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711230539.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 张亚朋 ,  叶天翔 ,  屈志娟 ,  郑哲 ,  卢慧慧 ,  王亮 ,  张威龙 ,  龙希田 ,  崔文朋 ,  乔磊 ,  池颖英

IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/01

CPC classification number: G01N21/3504 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供了一种基于气体传感器的气体检测系统，包括光发射模块、采集模块、光探测模块、调理模块和控制模块，光发射模块产生红外光，采集模块对红外光进行特征光谱吸收，光探测模块将红外光转换为电信号，调理模块将对电信号进行调理，得到数字信号，控制模块对数字信号进行处理，再将处理结果进行备份和显示，实现气体成分和浓度的检测。本发明不需要专门的光吸收气室、光反射装置以及专门的抽气系统，降低了气体传感器的成本，且提高了气体传感器的集成度和精度；本发明中的气体传感器工作时无需供能，使得气体检测系统本身功耗低，不受电力环境中高压、强磁场的影响，有利于系统长期工作的稳定性。

公开(公告)号：CN108111451A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711290082.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 张威龙 ,  郑哲 ,  崔文朋 ,  叶天翔 ,  王亮 ,  郭经红 ,  姜学平

IPC: H04L27/00

CPC classification number: H04L27/0014 ,  H04L2027/0026

Abstract: 本发明涉及一种频偏估计方法及系统，该方法包括：根据位判决后的待测信号对待测信号进行增益；根据增益后的待测信号获取待测信号的频偏分量；本申请的技术方案根据位判决后的待测信号的不同传输阶段对待测信号进行增益，并通过对增益后的待测信号进行积分消除所述解调模块输出的离散时域信号中±1的码流和高斯白噪声获取待测信号的频偏分量，节省硬件资源和能量，在低成本的前提下提高频偏修正的效率和精确度。

公开(公告)号：CN108063096A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711129294.8

申请日：2017-11-15

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆

IPC: H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。

公开(公告)号：CN112735978B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202011490768.3

申请日：2020-12-16

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 张西子 ,  王亮 ,  周扬 ,  钱靖 ,  吴灵美 ,  陈显平 ,  喻佳兵

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。

公开(公告)号：CN111487514B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202010312229.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 唐新灵 ,  滕乐天 ,  吴军民 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  金锐 ,  张喆 ,  林仲康 ,  王亮

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明公开了一种IGBT动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统，包括：测量IGBT器件在瞬态开通过程中的发射极实测电压和集电极实测电流，得到发射极实测电压在瞬态开通过程中的电压变化曲线和集电极实测电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线；利用电压变化曲线计算发射极实测电压在瞬态开通过程的结束时刻与开始时刻的电压差；利用电流变化曲线计算在瞬态开通过程中集电极理想电量与实测电量的电量差；利用电量差除以电压差得到IGBT动态参数测试电路的杂散电容。本发明基于IGBT器件的开通瞬态波形，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，可以有效评估动态测试设备测量结果的准确性，为制定设备杂散电容的标准提供了依据。

公开(公告)号：CN107845617B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201710846539.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 田丽纷 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。

公开(公告)号：CN109449135B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201811151918.0

申请日：2018-09-29

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 唐新灵 ,  赛朝阳 ,  张朋 ,  林仲康 ,  王亮

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极，对封装结构内部的电极进行改进，按照从内到外电极的电阻逐渐减小的方式设计电极。由于，所有电极之间的互感，导致电流呈现外部大，中心小，与集肤效应类似的分布；并且由于电极的电阻相同，电流分布主要受集肤效应影响。由内至外电极电阻增大，从而削弱集肤效应的影响，使得各电极的电流趋于一致。在制作电极阶段，改变电极尺寸，不改变电极的分布以及封装结构的尺寸，因此并不影响器件大小，可以较好的在不增加封装尺寸的前提下实现多个半导体功率器件均流。

公开(公告)号：CN111709162A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010349978.4

申请日：2020-04-28

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 杜玉杰 ,  韩荣刚 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张西子 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  周扬

IPC: G06F30/23 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。