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公开(公告)号：CN118352439A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410474019.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明为一种模板头单元，其包含：模板部件，其在石英玻璃基板上至少具备有机硅类橡胶膜；模板部件保持部件，其具备具有孔的面，该孔用于对前述模板部件的石英玻璃基板面进行真空抽吸；以及，管状部件，其具有排气抽吸孔且与前述模板部件保持部件结合固定，该排气抽吸孔以能够保持真空的状态与前述用于进行真空抽吸的孔连通连接。由此，提供一种能够通过简便的真空卡盘方式稳定地固定的模板部件、能够在短时间内对该模板部件进行更换的模板头单元、以及具备该模板部件、模板头单元的微小构造体移载装置。
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公开(公告)号：CN118265743A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280074867.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/54
Abstract: [解决课题]提供自修复性优异的主链具有硅氧烷键的新型的聚合物材料。[解决手段]一种共聚物，其包含下述通式(I)所示的至少1种重复单元和下述通式(II)所示的至少1种重复单元。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118215699A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280071664.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种聚有机硅氧烷，其特征在于，其为由下述式(1)所表示的聚有机硅氧烷。由此，本发明可提供一种即使在以往的环氧改性有机硅无法良好地相容的条件下也能够无问题地相容的聚有机硅氧烷。[化学式1]#imgabs0#在式(1)中，R1相互独立地表示选自碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为6～12的芳基及碳原子数为7～12的芳烷基的基团、或者羟基，X相互独立地为碳原子数为1～10的二价亚烷基，Y相互独立地为选自碳原子数为5～30的任选具有醚键的亚烷基、碳原子数为6～30的亚芳基、及碳原子数为7～30的亚芳烷基的基团，Z相互独立地为碳原子数为1～20的任选具有醚键的亚烷基，n为0～100的整数，m为1～2。
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公开(公告)号：CN117625100A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311106244.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/30 , C09J7/10 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供低粘度、低温固化、高粘合性且在密封前后维持钙钛矿型太阳能电池的发电性能的高可靠性环氧树脂系粘合剂组合物及膜状密封材料。该粘合剂组合物含有：(A)通式(2)所示的双官能型环氧树脂、通式(3)所示的3官能以上的环氧树脂及通式(4)所示的饱和型酸酐的反应产物；(B)UV敏感性反应引发剂；及(C)稀释溶剂，所述组合物的特征在于，所述(A)成分为通式(1)所示的化合物，所述双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的环氧基的合计摩尔数相对于所述饱和型酸酐的摩尔数的比率为1.30～3.00，所述双官能型环氧树脂的摩尔数相对于双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的合计摩尔数为0.001～0.15。
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公开(公告)号：CN103424981A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182377.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116325194A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180071541.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明是一种发光二极管供给基板的制造方法，该发光二极管供给基板用于转移多个发光二极管，其特征在于，包括：第一搭载工序，在供给基板上搭载多个发光二极管；选择去除工序，选择性去除所述供给基板上的不良发光二极管；以及第二搭载工序，将正常发光二极管转移至所述供给基板上的之前配置有所述不良发光二极管的位置。由此，能够提供一种发光二极管供给基板的制造方法，其能够制造发光二极管供给基板，该发光二极管供给基板能够将多个正常发光二极管转移至供给目的地。
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公开(公告)号：CN103424983B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN106324978A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610509880.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN105518529A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049627.4
申请日：2014-07-24
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/66 , H01L21/673
CPC classification number: G03F1/66 , H01L21/67359 , H01L21/67393
Abstract: 本发明抑制对光阻图案产生的影响并且更确实地降低因在保管、搬送或容器操作的过程中所有可能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。本发明涉及一种光罩基底衬底收纳容器(1)，其收纳、搬送或保管光罩基底衬底(2)，且其构成零件中的至少1个包含以40℃保持60分钟下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计每树脂单位重量成为0.01ppm以下的热塑性树脂，并且该构成零件的表面电阻值为1.0E+13欧姆以下。
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公开(公告)号：CN104698738A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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