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公开(公告)号:CN101567340B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200910137720.1
申请日:2009-04-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 市六信广
Abstract: 本发明提供半导体晶片保护膜,包括衬底膜和提供在衬底膜一面上的保护层,所述保护层含有:(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的至少一种树脂;(B)5~200质量份的环氧树脂;(C)100~400质量份的填料;和(D)催化量的环氧树脂固化催化剂,其中涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料的10~100质量份。
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公开(公告)号:CN101567340A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200910137720.1
申请日:2009-04-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 市六信广
Abstract: 本发明提供半导体晶片保护膜,包括衬底膜和提供在衬底膜一面上的保护层,所述保护层含有:(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的至少一种树脂;(B)5~200质量份的环氧树脂;(C)100~400质量份的填料;和(D)催化量的环氧树脂固化催化剂,其中涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料的10~100质量份。
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公开(公告)号:CN103059787B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201210409530.2
申请日:2012-10-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 市六信广
IPC: C09J163/00 , C09J11/04 , C09J7/00 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29 , H01L2224/83191 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 提供导热系数高且散热特性优异、粘合性良好且耐湿试验后的可靠性优异的导热性粘合剂组合物、使用该组合物的粘合用片材以及导热性切割芯片贴膜。导热性粘合剂组合物,其含有:(A)聚合物骨架中具有能与环氧树脂反应的官能团的聚合物、(B)每分子中具有至少2个环氧基的环氧树脂以及(C)用特定的平均组成式表示的数均分子量为500~10000的硅化合物进行了表面处理的、导热系数为10W/mK以上的无机填充剂;粘合用片材,其具备:基材和该基材上设置的由上述组合物构成的粘合剂层;导热性切割芯片贴膜,其具备:具有基材和其上设置的胶粘剂层的切割膜、和该切割膜的胶粘剂层上设置的由上述组合物构成的粘合剂层。
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公开(公告)号:CN101245231B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN200710078974.1
申请日:2007-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/04 , C09J179/08 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/14 , C08L2666/20 , C09J183/10 , C08L2666/22
Abstract: 本专利提供胶粘剂组合物,它在40~80的熔体粘度不超过10,000Pa·s,而且在80℃~(T+50℃)范围内的温度下加热1min~2h后,在100℃~(T+30℃)温度下的熔体粘度为100~10,000Pa·s(其中T代表组合物的固化起始温度)。该胶粘剂组合物能形成具有下列性能的固化产物:对带有微细线路图的基材优良的充填性、低温下优良的层压性、低弹性模量和优良的粘结性和耐热性。该胶粘剂组合物适用于提供粘膜和生产半导体器件。
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公开(公告)号:CN101245231A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200710078974.1
申请日:2007-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/04 , C09J179/08 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/14 , C08L2666/20 , C09J183/10 , C08L2666/22
Abstract: 本发明提供胶粘剂组合物,它在40~80的熔体粘度不超过10,000Pa·s,而且在80℃~(T+50℃)范围内的温度下加热1min~2h后,在100℃~(T+30℃)温度下的熔体粘度为100~10,000Pa·s(其中T代表组合物的固化起始温度)。该胶粘剂组合物能形成具有下列性能的固化产物:对带有微细线路图的基材优良的充填性、低温下优良的层压性、低弹性模量和优良的粘结性和耐热性。该胶粘剂组合物适用于提供粘膜和生产半导体器件。
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公开(公告)号:CN112236482B
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN201980038230.8
申请日:2019-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 市六信广
Abstract: 通过制成如下的导热性有机硅组合物,从而提供耐偏移性和涂布性优异的导热性有机硅组合物及其制造方法,该导热性有机硅组合物含有:作为使(A)具有与硅原子结合的烯基的有机聚硅氧烷与(B)有机氢聚硅氧烷以(A)成分中的与硅原子结合的烯基与(B)成分中的Si‑H基的摩尔比(Si‑H/Si‑Vi)为2.0~9.0反应而成的反应生成物的有机聚硅氧烷,(C)选自金属氧化物和金属氮化物中的平均粒径3μm以下的无机填充材料,和(D)平均粒径5μm以上的导热性无机填充材料;(C)成分与(D)成分的合计相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份,为200~6000质量份,25℃下的绝对粘度为100~800Pa·s。
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公开(公告)号:CN101085868B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200710109919.4
申请日:2007-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供基于聚酰亚胺硅氧烷的树脂组合物,该组合物包括:(a)选自如下的聚合物:聚酰胺酸,它是选自芳族四羧酸化合物和脂环族四羧酸化合物的四羧酸化合物,与芳族二胺和二氨基硅氧烷的反应产物;和表示该聚酰胺酸闭环衍生物的聚酰亚胺硅氧烷;(b)溶剂;和(c)具有衍生自含酚羟基的双酰亚胺化合物的酰亚胺环和烷氧基甲硅烷基的反应性含甲硅烷基的双酰亚胺化合物。组合物适于用作电极保护材料,防止在电极表面的腐蚀,和显示对基材的优异粘合。
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公开(公告)号:CN117625100A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311106244.3
申请日:2023-08-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/30 , C09J7/10 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供低粘度、低温固化、高粘合性且在密封前后维持钙钛矿型太阳能电池的发电性能的高可靠性环氧树脂系粘合剂组合物及膜状密封材料。该粘合剂组合物含有:(A)通式(2)所示的双官能型环氧树脂、通式(3)所示的3官能以上的环氧树脂及通式(4)所示的饱和型酸酐的反应产物;(B)UV敏感性反应引发剂;及(C)稀释溶剂,所述组合物的特征在于,所述(A)成分为通式(1)所示的化合物,所述双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的环氧基的合计摩尔数相对于所述饱和型酸酐的摩尔数的比率为1.30~3.00,所述双官能型环氧树脂的摩尔数相对于双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的合计摩尔数为0.001~0.15。
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公开(公告)号:CN107531999A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680024933.1
申请日:2016-04-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 市六信广
IPC: C08L83/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08L63/00 , C09K5/14 , C10M107/24 , C10M107/50 , C10M125/04 , C10M125/10 , C10M125/20 , C10M125/26 , C10N10/02 , C10N10/04 , C10N10/06 , C10N10/08 , C10N10/16 , C10N20/00 , C10N20/02 , C10N20/06 , C10N30/00 , C10N30/02 , C10N40/00 , C10N50/10
Abstract: 导热性硅脂组合物,该导热性硅脂组合物含有:(A)有机聚硅氧烷:20~90质量份,(B)非有机硅系有机化合物:80~10质量份(其中,(A)、(B)成分的合计为100质量份),(C)平均粒径为0.5~100μm的导热性无机填充材料:相对于(A)、(B)成分的合计100质量份,为200~2,000质量份,有机聚硅氧烷(A)与非有机硅系有机化合物(B)的SP值为(B)>(A),而且(B)成分的SP值‑(A)成分的SP值>2,并且导热性硅脂组合物的粘度在25℃下为50~1,000Pa·s。
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公开(公告)号:CN101887843A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN201010180248.2
申请日:2010-05-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 提供了半导体芯片的制备方法。该方法防止了在处理该晶片的过程中对芯片保护膜的损伤,由此提高了生产收率、切割过程中的切割性质,并降低了该晶片的弯曲。该方法包括将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触,该保护膜形成片材包括在其一个表面上的具有可脱模性的基底膜和由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜,然后固化该保护膜,和然后从所得到的固化的保护膜上剥离该基底膜。
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