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公开(公告)号：CN113496994A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010271223.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/11507 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 本公开提供一种集成组合件、其制作方法及电子设备。本公开的集成组合件包括：半导体结构、衬层和顶部配线，所述衬层形成在所述半导体结构的侧壁上，并向上延伸至所述半导体结构的顶部以上，形成开口；所述顶部配线通过所述开口中的第一接触与所述半导体结构顶部电连接。该集成组合件，在制作其顶部配线时，不需要新增形成接触塞的掩模板、光刻工艺及蚀刻工艺，使得顶部电极的连接配线形成较易，且从顶部连接配线构造与形成方法上来看相对费用较低，节约制作成本。
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公开(公告)号：CN113299829A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110516398.4
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L49/02 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，可以在衬底上沉积形成牺牲层，利用Bosch工艺对牺牲层进行刻蚀形成电容孔，电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化，在电容孔内依次形成底电极层、介质层和顶电极层，由于Bosch工艺能够使刻蚀朝着深度方向进行，利于高深宽比的电容孔形成，提高电容孔的孔径的均匀性，且刻蚀过程中可以保护侧壁，在刻蚀过程中天然形成侧壁上凹凸交替变化的特性，无需在沉积工艺中掺杂，从而简化沉积工艺，提高电容面积，进而在简化工艺的前提下得到高性能的存储器件。
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公开(公告)号：CN111964794A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010874173.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN111883531A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010596962.3
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开提出一种DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片，该DRAM存储单元包括电容器和鳍式场效应晶体管；鳍式场效应晶体管的第一源/漏区与电容器的第一电极连接。该存储单元阵列包括沿第一方向设置的多条位线和沿与第一方向交叉的第二方向设置的多条字线；多个DRAM存储单元；每个DRAM存储单元的栅电极均连接字线，每个DRAM存储单元的第二源/漏区均连接位线。本公开将鳍式场效应晶体管应用于DRAM，将栅电极形成于半导体衬底表面上，增加沟道长度，减少短沟道效应，方便制作，利于控制栅氧化层厚度，降低漏电发生率。制造栅电极的过程受微细化尺寸影响小，减少因制作的栅电极不合格导致存储单元不可用的情况。
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公开(公告)号：CN111649680A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010496471.1
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01B11/06
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种厚度测量装置，包括：光源，用于产生照射光；光学透镜，用于将所述照射光照射到待测量物上；光检测件，用于对通过所述待测量物表面的透射光强进行检测以获得透射光强和波长的关系；数据处理系统，获取透射光强和波长的信息，以及在特定波长下透射光强和厚度的关系，得到所述待测物的厚度。可以预防因超过更换基准，造成的过度使用陶瓷零件造成的工艺不良以及良率低下的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111600307A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010485542.8
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统，该射频电源用于为铁氧体耦合感应等离子体工艺设备供电，该射频电源的谐波监控系统包括：与射频电源连接的谐波分析仪，谐波分析仪用于测定射频电源的谐波，获得射频电源的总谐波失真；与谐波分析仪连接的监视器，监视器用于实时显示总谐波失真。本发明提供的射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统，可以实时对射频电源的谐波进行监测。
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公开(公告)号：CN111569963A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010438674.5
申请日：2020-05-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：步骤1：在衬底上形成图形化的掩膜层；步骤2：以图形化的掩膜层为掩膜，对衬底进行刻蚀形成若干个扇贝状柱；步骤3：利用自限制氧化，在扇贝状柱上形成水平纳米线阵列；步骤4：对衬底的被刻蚀区域进行填充；步骤5：采用湿法腐蚀释放水平纳米线阵列，形成水平纳米通道阵列。本发明提出了一种工艺简单，与集成电路工艺相兼容且适宜批量生产的硅基水平纳米通道阵列制作方法。
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公开(公告)号：CN110164851A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910380546.7
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备，包括：在硅衬底上形成一个支撑体，支撑体包括由两种半导体材料形成的叠层结构；通过各向异性刻蚀工艺在支撑体上竖向刻蚀出多个深槽，直至露出硅衬底；在多个深槽中，通过各向同性刻蚀工艺，选择性横向刻蚀支撑体中的一种半导体材料层，以形成立体侧壁及表面都是深槽的结构，两种半导体材料的刻蚀速率不同；在支撑体的外表面先沉积一隔离层，再沉积复合膜，复合膜包括下层金属、高介电常数材料、上层金属。相比现有技术，本发明电容器的支撑体所包含的半导体材料层数更多，每层的厚度更薄，且支撑体被横向选择性刻蚀的深度更大，因此，本发明提出的电容器的比表面积更大。
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公开(公告)号：CN110137275A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910457839.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备，包括：红外吸收敏感材料；钝化和红外吸收层，形成在红外吸收敏感材料上方；金属层，形成在钝化层和红外吸收层上方，其中，金属层表面为纳米针状结构。本发明在基于现有的微电子制造技术，基于特殊的薄膜生长及刻蚀方法最终在常用的红外吸收敏感材料表面形成纳米结构提高红外吸收率。
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公开(公告)号：CN114628212B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202011462024.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备，属于等离子体刻蚀技术领域。以解决目前在利用等离子体对待刻蚀物进行刻蚀时，无法根据具体的刻蚀需求改变直流自偏置电压的大小，进而无法提高对待刻蚀物的刻蚀效果的技术问题。等离子体处理腔室包括：腔室壁、设置在腔室壁内表面的正电极，设置在正电极内表面且与正电极绝缘的静电电极，位于等离子体处理腔室内的负电极，以及与静电电极电连接的电源部。其中，负电极上放置有待刻蚀物；电源部用于根据控制信号向静电电极施加不同的电压，以改变正电极上累积的电子量。
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