公开(公告)号：CN108963757A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810828398.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾雪峰 ,  王利军 ,  顾增辉 ,  卓宁 ,  张锦川 ,  刘俊岐 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/34366 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1212

Abstract: 本发明公开了一种啁啾采样光栅量子级联激光器，属于半导体光电器件技术领域。该啁啾采样量子级联激光器包括：衬底，下波导层，下限制层，有源层，上限制层，啁啾采样光栅，上波导层，高掺接触层。其中，在所述上限制层的上表面具有啁啾采样光栅。与传统均匀采样光栅相比，本发明啁啾采样光栅光场功率效率提高，减小了空间烧孔效应，增加了模式的稳定性；与非对称的光栅π相移技术相比，降低了制备难度和成本。

公开(公告)号：CN108365518A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810207975.X

申请日：2018-03-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程凤敏 ,  张锦川 ,  刘峰奇 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  刘舒曼 ,  王占国

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器，包括：有源区，位于所述衬底上方，所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层，各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对，以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层，所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。本发明引入多周期级联的量子点有源层，基于量子点的“声子瓶颈”效应和非均匀展宽，能够改善差频太赫兹量子级联激光器的性能，如功率、转化效率、调谐范围以及阈值电流密度等。

公开(公告)号：CN105655866A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610069089.6

申请日：2016-02-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘俊岐 ,  王涛 ,  李媛媛 ,  刘峰奇 ,  王利军 ,  张锦川 ,  翟慎强 ,  刘舒曼 ,  卓宁 ,  王占国

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024

Abstract: 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。

公开(公告)号：CN103715607A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310705313.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 闫方亮 ,  张锦川 ,  姚丹阳 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件，包括：衬底；衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器单元，每个DFB激光器单元具有脊型波导结构，脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构，不同布拉格光栅具有不同取样周期；二氧化硅层，覆盖整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面；电隔离沟，位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，生长在衬底的下表面；出光窗口，位于衬底的下表面，阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。

公开(公告)号：CN103368071A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310308727.1

申请日：2013-07-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张锦川 ,  刘峰奇 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  王占国

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。

公开(公告)号：CN216598389U

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202122545351.9

申请日：2021-10-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王欢 ,  张锦川 ,  刘峰奇 ,  翟慎强 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  刘舒曼

IPC: H01S5/02315 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/40 ,  H01S5/34

Abstract: 本实用新型提供一种激光器光源系统，包括：集成板装置，包括：铜板，设置有多个台阶，多个所述台阶整体呈阶梯状；多个激光光源，设置于多个所述台阶上，且每个所述台阶设置有一个所述激光光源；所述激光光源用于两端发射激光，分别形成第一光路与第二光路；光源反馈装置，包括：闪耀光栅，用于对接收到的所述第一光路进行色散处理，形成反馈光；其中，所述激光光源通过接收到的所述反馈光的作用，所述激光光源进行发射固定波长的激光；光反射装置，包括：转镜，用于对接收到的各所述激光光源发出的第二光路进行同轴以输出光的形式输出。