-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242643B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011114799.9
申请日：2020-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器相干阵列，其特征在于，包括：多模干涉区，包括多级一分二的多模干涉耦合结构及多个弯曲波导，不同级之间的多模干涉耦合结构通过弯曲波导连接，其中，多级一分二的多模干涉耦合结构用于产生多个相位相干的光支路；反射区，用于将多个光支路进行传输，并通过反射率的调节控制光支路输出的能量比率；阵列区，包括多个通道波导，用于对反射区输出的多个光支路进行功率放大后输出。本公开还提供了一种半导体激光器相干阵列的制备方法。
-
公开(公告)号：CN112310808A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011184341.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多波长的半导体激光器结构及制备方法，包括：衬底、传输层、电极，其中传输层蚀刻有环形谐振腔、法布里‑珀罗谐振腔和多模干涉区，环形谐振腔和法布里‑珀罗谐振腔相邻，并在相邻位置通过多模干涉区连接；环形跑道腔用于形成第一纵模间距的光，法布里‑珀罗直波导腔用于形成第二纵模间距的光，多模干涉区用于对第一纵模间距的光及第二纵模间距的光进行耦合，形成特定纵模间距的多波长光，并通过法布里‑珀罗谐振腔的端面输出。本发明提供的半导体激光器结构出射的多波长间强度稳定，且具有比较好的光束质量，适合应用于多种大分子物质检测、差频太赫兹产生等领域。
-
公开(公告)号：CN112242643A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011114799.9
申请日：2020-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器相干阵列，其特征在于，包括：多模干涉区，包括多级一分二的多模干涉耦合结构及多个弯曲波导，不同级之间的多模干涉耦合结构通过弯曲波导连接，其中，多级一分二的多模干涉耦合结构用于产生多个相位相干的光支路；反射区，用于将多个光支路进行传输，并通过反射率的调节控制光支路输出的能量比率；阵列区，包括多个通道波导，用于对反射区输出的多个光支路进行功率放大后输出。本公开还提供了一种半导体激光器相干阵列的制备方法。
-
公开(公告)号：CN108963757A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810828398.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/34366 , H01S5/1209 , H01S5/1212
Abstract: 本发明公开了一种啁啾采样光栅量子级联激光器，属于半导体光电器件技术领域。该啁啾采样量子级联激光器包括：衬底，下波导层，下限制层，有源层，上限制层，啁啾采样光栅，上波导层，高掺接触层。其中，在所述上限制层的上表面具有啁啾采样光栅。与传统均匀采样光栅相比，本发明啁啾采样光栅光场功率效率提高，减小了空间烧孔效应，增加了模式的稳定性；与非对称的光栅π相移技术相比，降低了制备难度和成本。
-
公开(公告)号：CN112310808B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011184341.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多波长的半导体激光器结构及制备方法，包括：衬底、传输层、电极，其中传输层蚀刻有环形谐振腔、法布里‑珀罗谐振腔和多模干涉区，环形谐振腔和法布里‑珀罗谐振腔相邻，并在相邻位置通过多模干涉区连接；环形跑道腔用于形成第一纵模间距的光，法布里‑珀罗直波导腔用于形成第二纵模间距的光，多模干涉区用于对第一纵模间距的光及第二纵模间距的光进行耦合，形成特定纵模间距的多波长光，并通过法布里‑珀罗谐振腔的端面输出。本发明提供的半导体激光器结构出射的多波长间强度稳定，且具有比较好的光束质量，适合应用于多种大分子物质检测、差频太赫兹产生等领域。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.023 seconds)
