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公开(公告)号：CN102254795A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110174062.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合光刻胶层的掩膜厚度以及光刻胶图形的宽度计算得到的；去除光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从碳离子注入区域中析出重构，在过渡金属基底表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。相比于现有技术，本发明通过计算以特定的注入角度进行碳离子注入，制备出石墨烯纳米带，具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。
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公开(公告)号：CN102243990A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110168562.3
申请日：2011-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干，以便在所述光刻胶层上形成与所述版图相对应的图形。接着使碳离子经由所述图形注入至所述过渡金属薄膜层中后，去除所述光刻胶层并清洗所述过渡金属薄膜层表面。最后对所述过渡金属薄膜层进行退火处理，以使碳原子从所述过渡金属薄膜层中析出重构，即可制备出石墨烯纳米带。根据本发明的制备方法制备的石墨烯纳米带，形状和尺寸易控制，并且产率高。
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公开(公告)号：CN102201404A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110124788.3
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时，及时的泄放ESD电流，避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部，造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压，使其可以用于不同内部电压的电路保护，避免功率局部集中。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2kV以上，达到了目前人体模型的工业标准。
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公开(公告)号：CN102130176A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010619509.6
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件，该器件包括SOI衬底和位于所述SOI衬底之上的有源区；所述有源区包括：栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的漂移区；所述漂移区包括横向超结结构和位于所述横向超结结构上方的缓冲层。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以缓解衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高器件的击穿电压，并且使制作缓冲层时的掺杂深度大幅变浅，不仅降低了杂质的注入能量，而且更容易实现漂移区杂质的均匀分布，工艺难度大大降低。
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公开(公告)号：CN102130013A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010619508.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成的N型区域进行P型离子注入，在所述N型区域中形成等间隔的多个横向P型柱区，将所述N型区域划分为多个横向N型柱区，交替排列的P型柱区和N型柱区组成横向超结结构。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以抑制衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高了器件的击穿电压，并且通过巧妙地调整N/P离子注入的步骤，设计版图和离子注入浓度等，进一步简化了工艺，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950758A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225694.0
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明介绍了一种在SOI材料上制备多层高介电常数材料栅结构的方法。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的Si3N4，这层Si3N4将有效隔离高介电常数材料层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在Si3N4上沉积一层高介电常数材料，并对高介电常数材料进行适当的氮化处理，使得高介电常数材料上层形成一层高介电常数的氮氧化合物，这层氮氧化合物将有效阻止金属栅电极与高介电常数材料层之间的元素扩散。最后溅射生长金属电极。
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公开(公告)号：CN101924030A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010231639.2
申请日：2010-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。本发明抑制了界面层生长，有利于高k栅介质等效栅氧厚度的减薄，提高了高k栅介质的结晶温度，减少了界面层厚度和界面态密度，改善了高阻SOI上高k栅介质的电学性能。
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公开(公告)号：CN101916761A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231684.8
申请日：2010-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。
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公开(公告)号：CN101916729A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234273.4
申请日：2010-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI LDMOS器件的制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，且使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构，且上下两层超结结构的p/n型柱区交错排布，能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积，且不会带来显著的副作用，保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高。
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公开(公告)号：CN110347082B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910629209.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/042 , G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种驱动电路，所述驱动电路包括逻辑控制单元、数模选择器、数模转换器、支路选择器和电压输出支路；所述电压输出支路与微反射镜连接；每个所述数模转换器连接有多个所述电压输出支路；所述数模选择器连接有多个所述数模转换器；所述支路选择器设置于所述逻辑控制单元和所述电压输出支路之间，所述支路选择器用于选通对应的电压输出支路工作；所述逻辑控制单元与所述数模选择器连接，所述逻辑控制单元还与所述电压输出支路连接。本发明还公开了一种驱动方法及微反射镜阵列。采用本发明，具有能够降低电路的功耗和面积，有利于降低IC的成本；以及实现微反射镜阵列的偏转角度连续可调和偏转姿势长时间保持的优点。
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