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公开(公告)号：CN113849958A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110938374.8
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数与S参数的转换关系，确定在片S参数测量系统的串扰误差，并根据串扰误差对在片S参数系统进行修正。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN111983310A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717444.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种微波噪声接收机的噪声参数确定方法及装置，该方法包括：通过对噪声参数测量系统进行校准，并采用校准后的噪声参数测量系统进行测量得到噪声相关参数；根据噪声相关参数，建立噪声接收机的线性超定方程；求解线性超定方程得到未知列向量的值，并根据未知列向量的值计算噪声接收机的噪声参数，从而可以对噪声接收机的噪声参数进行表征。本发明通过采用高精度噪声参数测量系统测量噪声相关参数，然后设定线性超定方程并运用最小二乘法进行求解，根据得到的线性超定方程的未知列向量计算噪声接收机噪声参数，从而使得噪声参数测量精度较高，且噪声参数计算方法简单，可以提高噪声参数测量效率。
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公开(公告)号：CN111025214A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911185123.6
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于非实时在片负载牵引测量技术领域，提供了一种获取功率校准模型的方法及终端设备，该方法包括：获取在片负载牵引系统中的各个组件的S参数和反射系数；基于在片负载牵引系统中的信号源的不同源功率，对接入在片负载牵引系统中的直通件的输出功率进行校准，并根据S参数和反射系数得到直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率；根据直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率构建功率校准模型，以采用功率校准模型进行功率测量，从而可以在非线性状态下进行输出功率测量之前，进行输出功率的校准，从而可以提高测量功率器件时系统测量指标及性能，并且降低测量过程复杂度。
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公开(公告)号：CN107167668A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710379464.1
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/28
Abstract: 本发明公开了一种1‑40GHz在片S参数测量方法，涉及微波/毫米波在片S参数计量技术领域，包括步骤：1）、设计在片S参数验证件的实现形式；2）、设计在片S参数验证件的结构；3）、仿真优化在片S参数验证件；4）、在片S参数验证件定标；5）、定标结果不确定度评定；本发明通过设计1‑40GHz在片S参数测量方法，通过设计在片S参数验证件的实现形式、设计在片S参数验证件的结构、仿真优化在片S参数验证件、在片S参数验证件定标、定标结果不确定度评定等步骤实现在片S参数的测量，同时此种方法使用温度为‑55℃‑125℃，增大了测试温度范围。
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公开(公告)号：CN104237829B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410496265.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度噪声系数测量系统整体校准方法，其在高精度噪声系数测量系统的校准中使用了无源传递标准件，并引入了低噪声放大器以辅助校准，该方法对高精度噪声系数测量系统进行整体校准，通过先后测量传递标准件与低噪声放大器的级联噪声参数和低噪声放大器单独的噪声参数以及传递标准件的S参数，经过模型计算，最终获得传递标准件的噪声系数测量值，解决了高精度噪声系数测量系统无法精确测量无源结构噪声系数的技术难题，将该值与传递标准件的噪声系数标准值相比较可以得到高精度噪声系数测量系统的示值误差，从而完成了对高精度噪声系数测量系统的校准工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106249187A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610763763.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
CPC classification number: G01R35/007
Abstract: 本发明公开了一种在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法，涉及散射参数校准技术领域。该方法包括：根据算法分析及工艺加工能力设定多线TRL校准件传输线在目标频带下的几何尺寸及个数，并制作多线TRL校准件；测量多线TRL校准件的几何量；通过测量多线TRL校准件传输线的线电容，并结合传播常数得到多线TRL校准件传输线的特征阻抗。上述在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法给出了传输线长度、导体厚度的选取准则，实现多线TRL校准件的准确定义，且经验证多线TRL校准件设计合理，准确度较高。
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公开(公告)号：CN103049639B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210423663.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京经纬恒润科技有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙特卡洛法的噪声参数测量不确定度评定方法，属于测试计量领域。本发明以等效噪声参数方程作为噪声参数测量不确定度评定的测量模型，并利用从测量平台测得的物理量求解函数方程，得到反映等效噪声参数分布情况的数据，并从等效噪声参数导出噪声参数及其分布，最后得到噪声参数测量的不确定度。该方法有效的结合了数学随机仿真、物理测量边界判据和最小二乘法优化判据，使得噪声参数不确定度评定更加有效、真实、可靠；该方法符合国际标准，仿真方式灵活，可应用的测量系统种类多，普适性高。
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公开(公告)号：CN104237829A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410496265.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度噪声系数测量系统整体校准方法，其在高精度噪声系数测量系统的校准中使用了无源传递标准件，并引入了低噪声放大器以辅助校准，该方法对高精度噪声系数测量系统进行整体校准，通过先后测量传递标准件与低噪声放大器的级联噪声参数和低噪声放大器单独的噪声参数以及传递标准件的S参数，经过模型计算，最终获得传递标准件的噪声系数测量值，解决了高精度噪声系数测量系统无法精确测量无源结构噪声系数的技术难题，将该值与传递标准件的噪声系数标准值相比较可以得到高精度噪声系数测量系统的示值误差，从而完成了对高精度噪声系数测量系统的校准工作。
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公开(公告)号：CN118858868A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410834330.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种宽带在片差分S参数校准方法，涉及晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域。本发明通过对在片差分S参数测量系统进行两次两端口多线TRL校准、一次两端口未知直通校准，结合端口间矩阵运算得到四个端口全部误差项，可求解出件的多端口S参数，再将四个端口的常规S参数计算转化为差分S参数。在该过程中，由于采用可溯源的多线TRL校准算法，可有效提高在片差分S参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN114114119B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284366.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。
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