一种大功率半导体激光器线阵束参积调整的装置

    公开(公告)号:CN105511089B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201610045815.0

    申请日:2016-01-25

    Abstract: 本发明属于激光技术应用领域,公开一种大功率半导体激光器线阵实现束参积调整的装置。该装置包含快轴准直平凸柱透镜、错位整形堆栈、重排整形堆栈及慢轴准直平凸柱透镜阵列四部分。采用微小尺寸平行玻璃薄片作为光束整形组件,通过尺寸及角度的优化设计,针对大功率半导体激光器线阵中每个独立发光单元实现光束错位整形及重排整形,进而实现半导体激光器线阵束参积的调整。该发明具有器件成本低、整形效率高、适用于大功率半导体激光器等优点。基于该发明研制的高功率半导体激光输出光源可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。

    一种高功率半导体激光光纤耦合系统及其装调方法

    公开(公告)号:CN104049324B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410314820.8

    申请日:2014-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种高功率半导体激光光纤耦合系统的技术方案,该方法采用相同数值孔径和芯径的小功率半导体激光光纤耦合系统作为光源,利用光纤分束器作为传光介质,基于光束可逆原理,通过监测0°全反射镜的回光功率作为聚焦系统最佳空间位置的判据,可实现高功率半导体激光光纤耦合系统中聚焦系统和输出光纤相对空间位置的精密调节固定。该发明具有聚焦系统调节简单易行、调节判据精确可靠等特点。基于该发明研制的半导体激光高亮度光纤耦合输出光源可应用在泵浦光纤激光器、医疗及工业加工等众多领域。

    一种半导体激光器的快慢轴光束质量匀化装置

    公开(公告)号:CN104836114A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510273978.X

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的快慢轴光束质量匀化装置的技术方案,该方案基于光束全反射原理,利用直角棱镜空间组合作为光束旋转器件,采用柱面透镜组作为Y方向准直,两片式柱面缩束镜作为X方向缩束器件,在不引入各发光点光程差的前提下,可实现半导体激光器的快慢轴光束质量匀化整形。该发明具有光束旋转无像差,不改变光束前进方向,整形系统装调简单易行等特点。基于该发明研制的半导体激光高亮度光纤耦合输出光源可应用在泵浦光纤激光器、医疗及工业加工等众多领域。

    一种二极管泵浦激光增益模块及其制备方法

    公开(公告)号:CN102820610A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210325578.5

    申请日:2012-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种二极管泵浦激光增益模块及其制备方法,所述增益模块的前端板与偶数环形泵浦激光器组紧固在一起,偶数环形泵浦激光器组与奇数环形泵浦激光器组依次交替串接,两两之间密封固定;后端板与奇数环形泵浦激光器组串接,内部注入冷却液,形成增益模块主体。增益模块主体与底座之间连接半导体制冷器,及时换热。通过给二极管激光器施加电流,使二极管激光器发射激光泵浦棒状激光介质。棒状激光介质所产生的热量通过冷却液传导到环状内多边形热沉上,和二极管激光器产生的热一起通过半导体制冷器传导到底座散热。本发明的增益模块结构简单,安装方便,环境适应性好,可在环境温度-40℃~60℃良好工作。

    半导体激光器的封装方法
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102593710A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210075365.1

    申请日:2012-03-21

    Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器,特别是利用热沉散热的半导体激光器的封装方法,含以下步骤:在热沉上制备含有碳纳米管的焊料;将半导体芯片置于热沉上并固定,在半导体芯片上放置低膨胀系数玻璃压条,低膨胀系数玻璃压条上放置压块;通过升温和降温过程将半导体芯片焊接到热沉上;压焊电极引线。本发明的方法封装半导体激光器有利于改善芯片焊接到热沉上的形变,有利于改善激光器的光束质量,有利于提高热沉的散热效率,有利于延长激光器的寿命。

    一种多电极半导体激光器封装结构

    公开(公告)号:CN112821192B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202110115525.X

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明公开了一种多电极半导体激光器封装结构,属于激光技术领域,包括多电极半导体激光芯片和热沉;多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区;芯片区包括芯片区正极和芯片区负极;热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层;若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应,且芯片区正极附在对应的正极金属化层上;若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通。本发明的一种多电极半导体激光器封装结构,可以满足在不同电极注入大小不同的电流,不同电极对之间不会发生短路,从而实现多电极半导体激光芯片的功能,散热性能好,稳定可靠。

    一种用于半导体激光器中COS焊接夹具

    公开(公告)号:CN110961846B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN201911407972.1

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器中COS焊接夹具,属于COS焊接技术领域,包括承载定位组件和至少一个的悬臂弹簧探针组件;承载定位组件用于承载和定位管壳底座;悬臂弹簧探针组件包括至少一个的定位杆、和定位杆一一对应的压簧、至少一个的弹簧探针、悬臂支架和锁紧件;定位杆设在承载定位组件上,且定位杆外套有压簧;压簧压缩在承载定位组件和悬臂支架之间;定位杆穿过悬臂支架;锁紧件用于将悬臂支架限定在离承载定位组件一定距离位置;弹簧探针设在悬臂支架上,用于将COS压在管壳底座上设有的焊料上。本发明的一种用于半导体激光器中COS焊接夹具,能够有效防止COS在焊接过程中产生位移偏差,提高COS定位准确性。

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