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公开(公告)号：CN120035872A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202380072833.6
申请日：2023-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开公开了一种负电感器装置(300)。该负电感器装置包括负电感器(200)，其包括铁磁材料(200)和布置在铁磁材料内部的导电材料(203)。该负电感器装置还包括限流电路(301)，其电联接到负电感器并且被配置为供应大小在一定范围(307)内的电流(303)，该范围由铁磁材料的电流‑能量曲线的第一局部最小值(121a)和第二局部最小值(121b)限定。
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公开(公告)号：CN111213244B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880053612.3
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/20
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公开(公告)号：CN115298832A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022980.3
申请日：2021-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/337 , H01L29/20
Abstract: 一种晶体管器件，包括源极(104)和漏极(105)，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向(V)的一位置处的水平面处。栅极(111)位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物(III‑N)层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层。所述栅极下方的第二区域包括第一III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层以及所述第二III‑N层上的第三III‑N层。所述第三III‑N层在沿晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III‑N层并延伸到所述第一III‑N层的一部分中。所述第三III‑N层为P型掺杂的，并且所述第一III‑N和第二III‑N层为非故意掺杂的。
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公开(公告)号：CN107851663B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201680041948.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件(100)包括：半导体结构(170)，其形成载流子沟道(140)；势垒层(171)，其接近半导体结构设置；以及一组电极(120、125、130)，其用于提供并控制载流子沟道中的载流子电荷。该势垒层由具有与载流子沟道的导电类型相反的导电类型的杂质至少部分地掺杂。该势垒层的材料具有比该半导体结构中的材料的带隙和热导率大的带隙和热导率。
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公开(公告)号：CN113196479A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083012.6
申请日：2019-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8256
Abstract: 电路包括夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层，第一缓冲层与第一金属层的一部分接触，并且第一金属层延伸超过第一缓冲层。电介质层夹在第二金属层和第三金属层之间，使得第二金属层延伸超过电介质层并与第二缓冲层接触，其中，铁电电容器由第一金属层、夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层以及第二金属层形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110574294B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201780089735.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 用于无线通信的射频发射机包括：多个输入端口，其接收要在多个分离频带上发送的多个基带符号序列；功率编码器，其对多个基带符号序列进行调制和编码以产生已编码多频带信号，该已编码多频带信号包括承载多个基带符号序列的多个分离频带；第一功率放大器，其用于放大已编码多频带信号以产生经放大的已编码多频带信号；第一噪声消除器，其根据已编码多频带信号和多个基带符号序列生成第一减噪信号；第一功率组合器，其将经放大的已编码多频带信号与第一减噪信号进行组合以产生RF多频带信号；以及天线，其用于发送RF多频带信号。
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公开(公告)号：CN108028273B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680040999.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 一种半导体装置包括：分层结构，该分层结构形成在所述半导体装置的不同深度平行延伸的多个载流子沟道；以及栅电极，该栅极电极具有不同长度的多个栅极指，多个栅极指穿透所述分层结构以到达并控制处于不同深度的对应载流子沟道。所述半导体装置还包括载流子电极，该载流子电极具有不同长度的多个载流子指，多个载流子指穿透所述分层结构以接入对应的载流子沟道。所述载流子指与所述栅极指相间交错。
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公开(公告)号：CN109690232B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201780042254.1
申请日：2017-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 包括一组线圈的传感器。该组线圈包括第一线圈和第二线圈，其中，第一线圈在接收到能量时生成电磁近场，使得电磁近场通过电感耦合向第二线圈提供能量的至少一部分，感应电流通过该组线圈。而且，检测器测量第一线圈和第二线圈中的至少一个线圈上的电压，其中，检测器包括电压计。最后，处理器，该处理器在检测到电压的值变化时，检测接近该组线圈的目标结构的存在，其中，目标结构是在离开该组线圈的距离处移动的电磁结构。
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公开(公告)号：CN111727507A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880089353.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的趋势和竖直部。
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公开(公告)号：CN111201609A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880053671.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管包括：一组电极，诸如源极(110)、漏极(120)、顶栅极(130)和侧栅极(140，150)；并且包括具有在源极和漏极之间延伸的鳍的半导体结构。顶栅极布置在鳍的顶部上，并且侧栅极距顶栅极一定距离而布置在鳍的侧壁上。半导体结构包括位于顶栅极下方的覆盖层(101)和布置在覆盖层下方以用于提供导电性的沟道层(102)。覆盖层包括氮化物基半导体材料，以使异质结能够在源极和漏极之间形成载流子沟道。
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