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公开(公告)号：CN115466291A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210659937.4
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供组合物、包括该组合物的层、包括该组合物的发光器件、和包括该发光器件的电子设备，其中该组合物包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为由式1表示的有机金属化合物，所述第二化合物为由式2表示的有机金属化合物，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，|λP(Ir1)‑λP(Ir2)|在0nm至约30nm的范围内，并且说明书中呈现的表达式1至4的至少一个被满足。式1和2中的取代基以及表达式1至4如详细说明中所描述的。
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公开(公告)号：CN111747991A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010227639.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F15/00 , C07D403/14 , C07D405/14 , C07D491/048 , C07D403/04 , C07D403/10 , C07D495/04 , C07D487/04 , C07D491/153 , C07D519/00 , C07D487/16 , C07D491/147 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及组合物和包括其的有机发光器件，所述组合物包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，式1和2可各自通过参照本文中提供其描述而理解。。
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公开(公告)号：CN111747990A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010227636.5
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及由式1表示的有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括其的诊断组合物，其中，在式1中，Y2、环CY2、R1-R8、R20、A1-A7和d2可各自独立地与说明书中所述的相同。式1
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公开(公告)号：CN102585173B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201210001157.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , B82Y10/00 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C09B69/109 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0558 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]。
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公开(公告)号：CN103730575B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101942075B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201010222301.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/146 , C08G2261/1644 , C08G2261/18 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机半导体聚合物、包括该聚合物的晶体管及其制造方法，所述有机半导体聚合物包含芳族或杂芳族主链以及处于聚合物末端的氟或全氟烷基中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101255156B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810092029.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D417/04 , C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D417/04 , C07D417/14 , C07D421/14 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种合成物，该合成物在聚合物主链上除了含有显示p-型半导体性能的噻吩以及显示n-型半导体性能的噻唑环之外，还包含显示p-型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基，包含该合成物的有机半导体聚合物，包含该有机半导体聚合物的有机有源层，包含该有机有源层的有机薄膜晶体管OTFT，包含该OTFT的电子器件，以及它们的制备方法。用于有机半导体聚合物并且包含噻唑环的示例性具体实施方案的合成物，其可以显示出增加的对有机溶剂的溶解度、同面性、可加工性以及改善的薄膜性能。
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公开(公告)号：CN101942075A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222301.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/146 , C08G2261/1644 , C08G2261/18 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机半导体聚合物、包括该聚合物的晶体管及其制造方法，所述有机半导体聚合物包含芳族或杂芳族主链以及处于聚合物末端的氟或全氟烷基中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101691420A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910009844.1
申请日：2009-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)
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公开(公告)号：CN1891754A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开－关比。
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