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公开(公告)号：CN101192446A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196653.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/20
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 公开了一种驱动多电平可变电阻存储装置的方法。驱动多电平可变电阻存储装置的方法包括：提供写电流给可变电阻存储器，以便改变可变电阻存储单元的电阻；验证改变的电阻是否进入预定的电阻窗；以及提供具有从基于验证结果最近提供的写电流增加或减小的量的写电流，以便改变可变电阻存储单元的电阻。
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公开(公告)号：CN101149971A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710154773.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
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公开(公告)号：CN1959846A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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公开(公告)号：CN1933023A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897156A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105889.5
申请日：2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/145 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一个方面的一种相变存储器件包括：包含多个相变存储单元的存储阵列；写升压电路；和写驱动器。写升压电路在第一操作模式中响应于控制信号升高第一电压并且输出第一控制电压，并且在第二操作模式和第三操作模式中响应于控制信号升高第一电压并输出第二控制电压。在第一操作模式中，写驱动器由第一控制电压驱动，并且将数据写到存储阵列的所选存储单元中。
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公开(公告)号：CN1892889A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510136251.3
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
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公开(公告)号：CN1838321A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610071461.3
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C11/4193 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
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公开(公告)号：CN1832190A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN1574092A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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