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公开(公告)号：CN1855445A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073587.4
申请日：2006-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11531
Abstract: 提供了制造非易失性存储器件的方法。在衬底上形成隔离层。衬底具有存储区和阱接触区，以及隔离层限定衬底的有源区。在有源区上形成栅绝缘层。构图栅绝缘层以在其中限定开口。该开口露出至少部分衬底的阱接触区，并用作在隔离层随后的蚀刻期间所生成电荷的电荷路径。还提供了相关的存储器件。
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公开(公告)号：CN1026543C
公开(公告)日：1994-11-09
申请号：CN90109141.3
申请日：1990-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 辛允承
CPC classification number: H03K5/133 , H03K2005/00071 , H03K2005/0028
Abstract: 一种信号延迟电路包括用于驱动摆动宽度处于供电电压与接地电压间的输出信号的驱动电路装置。该信号延迟电路另外包括一变容二极管负载装置，该装置与输出信号连接并具有在供电电压变化范围之内随供电电压增大的电容。在该信号延迟电路中，为解决用于CMOS半导体集成电路中的信号传播电路的延迟特性取决于电压的变化而限制了操作速度的问题，本发明借助MOS变容二极管或这些变容二极管的组合电路保持信号传播电路的延迟特性与供电电压的电压变化无关，因此或获得CMOS半导体集成电路的高速工作并可改进其可靠性。
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公开(公告)号：CN101286743A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810096652.4
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种数模转换器、一种具有该数模转换器的显示面板驱动器、以及一种用于数模转换的方法。各示例实施例涉及一种输出对应于n位数据的模拟数据电压的数模转换器，包括：斩波放大单元，其适于接收对应于n位数据的高x位的高位电压和对应于n位数据的低y位的低位电压，并且输出该模拟数据电压。该斩波放大单元包括：采样和保持电容器，其适于在非反相模式下用高位电压充电；以及斩波放大器，其适于向在非反相模式下的采样和保持电容器提供高位电压，并且适于输出对应于高位电压和低位电压之和的电压作为反相模式下的模拟数据电压。
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公开(公告)号：CN101154437A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161791.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , Y10S977/935
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器(RAM)，可以包括：多个可变电阻器件；多条读位线，其被电连接到各自的可变电阻器件；多条写位线，其与读位线交错。所述磁阻式RAM可以被配置为：当将第一数据写到第一可变电阻器件时，通过与该第一可变电阻器件相邻的第一写位线施加第一写电流；以及，通过与第二可变电阻器件相邻的第二写位线施加第一抑制电流，第二可变电阻器件与第一写位线相邻、并且在第一写位线与第二写位线之间，并且第一写电流与第一抑制电流同时地、并且以相同方向流动。
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公开(公告)号：CN101286743B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810096652.4
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种数模转换器、一种具有该数模转换器的显示面板驱动器、以及一种用于数模转换的方法。各示例实施例涉及一种输出对应于n位数据的模拟数据电压的数模转换器，包括：斩波放大单元，其适于接收对应于n位数据的高x位的高位电压和对应于n位数据的低y位的低位电压，并且输出该模拟数据电压。该斩波放大单元包括：采样和保持电容器，其适于在非反相模式下用高位电压充电；以及斩波放大器，其适于向在非反相模式下的采样和保持电容器提供高位电压，并且适于输出对应于高位电压和低位电压之和的电压作为反相模式下的模拟数据电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921004B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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公开(公告)号：CN101276543A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810081540.1
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/2022 , G09G3/3258 , G09G2300/0852 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 一种发光像素，包括第一有机发光二极管(OLED)和向第一OLED提供电流的电容器，所述电流对应于提供给电容器的第一电极的第一电压和提供给电容器的第二电极的第二电压之间的差。发光像素进一步包括向第一电极提供第一电压的第二OLED。发光像素还包括电源器件，该电源器件响应第二电压向第一电极提供第一电压。
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公开(公告)号：CN1855445B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610073587.4
申请日：2006-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11531
Abstract: 提供了制造非易失性存储器件的方法。在衬底上形成隔离层。衬底具有存储区和阱接触区，以及隔离层限定衬底的有源区。在有源区上形成栅绝缘层。构图栅绝缘层以在其中限定开口。该开口露出至少部分衬底的阱接触区，并用作在隔离层随后的蚀刻期间所生成电荷的电荷路径。还提供了相关的存储器件。
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公开(公告)号：CN100557811C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件的制造方法，包括在第一导电型的半导体衬底上，形成多条平行字线和填充所述字线之间间隙区的字线隔离层，所述字线形成以具有与所述第一导电型不同的第二导电型并且具有平的顶表面；在所述字线和字线隔离层上形成上成型层，构图所述上成型层以形成暴露所述字线预定区的多个上开口；在所述上开口内顺序形成第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案形成以具有所述第一导电型或第二导电型，并且所述第二半导体图案形成以具有第一导电型；并且分别在所述第二半导体图案上方形成多个相变材料图案，所述相变材料图案分别电连接到所述第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN1921004A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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