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公开(公告)号：CN120035146A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411003152.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统，该半导体器件可以包括：外围电路结构，其包括连接到位于半导体衬底上的外围电路的第一键合焊盘；以及单元阵列结构，其包括键合到所述第一键合焊盘的第二键合焊盘。单元阵列结构可以包括：分隔结构，其贯穿堆叠结构；竖直沟道图案，其贯穿堆叠结构；位于堆叠结构上的源极导电图案，该源极导电图案连接到竖直沟道图案；上电介质层，其覆盖源极导电图案；以及上通路，其贯穿上电介质层。堆叠结构可以包括竖直地交替堆叠的层间电介质层和导电图案。分隔结构可以包括位于电介质图案上的停止图案。源极导电图案可以与停止图案的顶表面接触。上通路可以连接到停止图案上的源极导电图案。
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公开(公告)号：CN112824959B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202011267377.5
申请日：2020-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1347 , G02F1/1343 , G02B26/00
Abstract: 一种显示设备，包括：光源阵列，布置有通过局部调光来发射光的多个光源；颜色转换层，包括将发射的光转换为特定颜色的光的颜色转换颗粒，并且被配置为通过使用转换的光来发射白光；显示面板，被配置为通过使用白光来产生图像；以及选择性透射构件，布置在光源阵列与颜色转换层之间。选择性透射构件被配置为将光透射到颜色转换层，并且避免将颜色转换层中的光透射到光源阵列。
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公开(公告)号：CN118042840A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311494645.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了3D半导体存储器装置和包括其的电子系统。该3D半导体存储器装置包括第一衬底、位于第一衬底上的外围电路结构和位于外围电路结构上的单元阵列结构。该单元阵列结构包括第二衬底、位于第二衬底和外围电路结构之间并且包括层间电介质层和与层间电介质层交替地堆叠的导电图案的堆叠结构、包括堆叠结构中的相应部分并且分别包括竖直半导体图案的竖直沟道结构、以及包括第二衬底中的相应部分并且连接至竖直半导体图案的相应顶表面的连接过孔件。
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公开(公告)号：CN117917927A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310796557.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括外围结构和位于外围结构上的单元结构。单元结构可以包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；堆叠体，包括堆叠在基底的第一表面上的栅电极；绝缘层，位于基底的第二表面上；穿透接触插塞，穿透基底的第一表面；第一间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且与穿透接触插塞间隔开；第二间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且连接到穿透接触插塞；第一间隙填充间隔件，位于第一间隙填充导电图案与基底之间；以及第二间隙填充间隔件，位于第二间隙填充导电图案与基底之间。
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公开(公告)号：CN117672309A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311028190.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , H01L21/768 , H10B41/40
Abstract: 提供了一种具有改进的裂纹检测可靠性的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：字线，在第一方向上延伸；单元接触插塞，电连接到字线并在与第一方向相交的第二方向上延伸；网状裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触；以及环形裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触，其中，网状裂纹检测电路电连接到外围电路区域中的裂纹检测晶体管，环形裂纹检测电路包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一裂纹检测金属布线、以及在第三方向延伸的第二裂纹检测金属布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117412600A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310516799.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置和电子系统，半导体装置包括第一衬底上的外围电路结构、外围电路结构上的单元阵列结构和单元阵列结构上的背侧结构。该单元阵列结构包括：堆叠结构，其包括交替堆叠的栅电极和层间电介质层；穿通插塞，其在第一方向上延伸穿过堆叠结构，并且每个穿通插塞包括与背侧结构相邻的第一表面和与第一表面相对的第二表面；中间电路结构，其位于堆叠结构和外围电路结构之间，并且连接到外围电路结构；以及连接插塞，其连接到中间电路结构和背侧结构。穿通插塞包括通过第一表面连接到背侧结构的第一穿通插塞以及通过第二表面连接到中间电路结构的第二穿通插塞。
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公开(公告)号：CN117241586A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310599270.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的一些实现方式，一种半导体存储器装置包括：半导体层，所述半导体层包括第一面和第二面，所述第二面在从所述第一面到所述第二面的向上指向的第一方向上与所述第一面相反；源结构，所述源结构包括：板，所述板设置在所述半导体层的所述第二面上；以及插塞，所述插塞从所述板延伸穿过所述半导体层；多个栅电极，所述多个栅电极设置在所述半导体层的所述第一面上并且按顺序彼此堆叠；以及通道结构，所述通道结构延伸穿过所述多个栅电极并且设置在所述插塞上，其中所述通道结构电连接到所述源结构。
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公开(公告)号：CN115472616A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210644756.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构；第一分离图案，穿过堆叠结构；第二分离图案，在第一分离图案之间穿过堆叠结构的至少一部分；以及切割沟道结构，穿过堆叠结构并且具有被第二分离图案部分地切割的端部。切割沟道结构的沟道层具有被第二分离图案切割的环形，从而沟道层的端部彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN114497070A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111337276.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，所述半导体器件包括：第一结构，包括外围电路；以及第二结构，包括：图案结构；上绝缘层；堆叠结构，所述堆叠结构在第一结构与图案结构之间，并且包括彼此间隔开的第一堆叠部和第二堆叠部，第一堆叠部和第二堆叠部分别包括交替堆叠的水平导电层和层间绝缘层；分离结构，穿透堆叠结构；存储器竖直结构，穿透第一堆叠部；以及接触结构，穿透第二堆叠部、图案结构和上绝缘层，其中，接触结构包括：下接触插塞，至少穿透第二堆叠部；以及上接触插塞，接触下接触插塞并且向上延伸以穿透图案结构和上绝缘层。
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公开(公告)号：CN114446985A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111210405.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置和电子系统，所述装置包括堆叠在外围电路结构上的单元结构，其中，单元结构包括第一层间电介质层以及在第一层间电介质层暴露并且连接至栅电极层和沟道区的第一金属焊盘，所述外围电路结构包括第二层间电介质层和在第二层间电介质层暴露并且连接至晶体管的第二金属焊盘，第一金属焊盘包括邻近的第一子焊盘和第二子焊盘，第二金属焊盘包括邻近的第三子焊盘和第四子焊盘，第一子焊盘和第三子焊盘耦接，并且第一子焊盘的宽度大于第三子焊盘的宽度，第二子焊盘和第四子焊盘耦接，并且第四子焊盘的宽度大于第二子焊盘的宽度。
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