公开(公告)号：CN1619704A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410102344.X

申请日：2004-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0425

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包括非易失性存储器件的预编程和已预编程的非易失性存储器件的主编程。非易失性存储器件可包括顺序叠置在半导体衬底上的隧道介电层、电荷存储层、阻挡介电层和栅电极。电荷存储层可以是电浮置的导电层或具有陷阱点的介电层。通过在执行预编程之后执行主编程以增加非易失性存储器件的阈值电压，编程电流可以被有效地减少。

公开(公告)号：CN1322016A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01100202.6

申请日：2001-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  崔兑僖 ,  金相秀 ,  李化成 ,  李来寅 ,  李庚旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1－xGex层。Si1－xGex层与未形变的硅有源层形成第一结,并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。