公开(公告)号：CN1828938A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN1761073A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。

公开(公告)号：CN1574361A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410076664.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282

Abstract: 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层以及电极层堆叠而成。