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公开(公告)号：CN1983663B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200610165710.5
申请日：2006-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0005 , H01L51/0545
Abstract: 一种具有改善的特性的具有薄膜晶体管的显示装置，所述显示装置包括：形成绝缘基板上的包括栅电极的栅极导体；形成于所述栅电极上的栅极绝缘层；由多个层构成的导电层，其包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极形成于所述栅极绝缘层上，并且跨越所述栅电极彼此隔开，由此界定沟道区；以及形成于所述沟道区内的有机半导体层，其中，所述导电层包括金属层和透明电极层。
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公开(公告)号：CN1905232B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
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公开(公告)号：CN1941398B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610154248.9
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板及其制造方法，所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN1983620B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610138293.5
申请日：2006-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , G02F2001/13685 , H01L27/3244 , H01L51/0003 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基板、形成在基板上的数据线、连接至数据线的源电极、包括与源电极相对的一部分的漏电极、具有露出源电极和漏电极的部分的开口的隔离件、形成在开口内的有机半导体、形成在有机半导体上的栅极绝缘体、以及与数据线交叉且具有栅电极的栅极线。
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公开(公告)号：CN1917226B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610115554.1
申请日：2006-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L27/3295 , H01L51/0003 , H01L51/0558
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100573957C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610086691.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅极布线，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘层，由无机材料制成，形成在栅极布线上并具有第一绝缘层接触孔，以露出至少部分栅极布线；第二栅极绝缘层，由有机材料制成，形成在第一栅极绝缘层上并具有与第一绝缘层接触孔相对应的第二绝缘层接触孔；源电极和漏电极，形成在第二栅极绝缘层上并彼此分离，以限定沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区上。因此，本发明提供了一种TFT特性被改进的有机TFT基板。
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公开(公告)号：CN100495718C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610168697.9
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F2202/02 , H01L27/3248 , H01L27/3262
Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN100485907C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610106394.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层；通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域；在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层，允许形成在沉积开口中的这些层保留。
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公开(公告)号：CN101114667A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710149418.9
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 一种便于控制TFT的开关动作的有机薄膜晶体管(“TFT”)基板。有机TFT基板包括：基板上的栅极线，与栅极线在同一平面的像素电极，与栅极线绝缘的数据线，包括连接到栅极线的栅极电极、连接到数据线并与栅极线绝缘的源极电极、连接到像素电极并且与栅极电极绝缘的漏极电极和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机TFT，和在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。本发明还涉及有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101017840A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610064368.X
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0541
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法，该阵列板包括：衬底；形成在衬底上的数据线；连接到数据线的源极电极；包含面对源极电极的部分的漏极电极；与源极电极和漏极电极部分交叠的第一有机半导体；形成在第一有机半导体上的第一栅极绝缘件；形成在第一栅极绝缘件上的阻挡件；与阻挡件形成在相同层上并连接到漏极电极的像素电极；包含栅极电极的栅极线，其与数据线相交叉并形成在阻挡件上。
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