公开(公告)号：CN105841831A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610075338.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 原田范行 ,  坂口薰

IPC: G01K7/01

CPC classification number: H01L27/0259 ,  G01K3/005 ,  G01K7/01 ,  H01L23/647

Abstract: 提供电路规模小、低成本且耗电少的过热检测电路。过热检测电路构成在CMOS半导体装置，所述过热检测电路具备：连接在寄生双极晶体管的基极/发射极间的基准电压电路；以及与寄生双极晶体管的发射极连接的电流检测电路，电流检测电路检测到电流流过寄生双极晶体管，输出过热检测信号。

公开(公告)号：CN105810815A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610034307.2

申请日：2016-01-19

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 飞冈孝明 ,  海老原美香

IPC: H01L43/06 ,  G01R33/07

Abstract: 霍尔元件，其集成于一个衬底上，能够通过切换旋转电流的旋转开关消除偏移且能够同时检测水平方向磁场和垂直方向磁场，具有4次旋转轴，并由以下部分构成：由P型的硅构成的P型半导体衬底层(100)、设于所述P型半导体衬底层上的垂直磁场检测N型杂质区域(110)；以及围着所述垂直磁场检测N型杂质区域对称地配置的8个水平磁场检测N型杂质区域(120、121)。

公开(公告)号：CN105738002A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510982992.7

申请日：2015-12-24

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 杉浦正一 ,  泽井英幸

IPC: G01K7/01

Abstract: 本发明题为过热检测电路及半导体装置。本发明提供不会因瞬间的电源电压变动等的干扰噪声而进行意外的误输出而在过热状态下能够迅速输出过热状态检测信号的过热检测电路。过热检测电路采用这样的结构，即，具备：感温部；比较部；以及在既定延迟时间后将过热状态检测信号向输出部输出的干扰噪声除去部，延迟时间与温度成比例地缩短。

公开(公告)号：CN102420146B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110302770.8

申请日：2011-09-23

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 斎藤直人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，不用增加很大的工序且采用控制性优良的工序，与CMOS在同一衬底上实现改变了P-体的深度的沟槽MOSFET。在沟槽MOSFET中，在P-体区域(4)的一部分的与深沟槽(5)分开的附近，设置扩散成比P-体区域(4)更深的延伸体区域(10)。

公开(公告)号：CN105702590A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510917421.5

申请日：2015-12-10

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 田口康祐

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/49

Abstract: 树脂密封用模具及其制造方法、以及半导体装置。为了提供低成本制造的树脂密封用模具，不使用雕模放电加工而通过使用圆形刀具的高速旋转切削加工来进行模具的模腔加工，形成第1模腔和第2模腔，成为阶梯状的模腔。

公开(公告)号：CN102624340B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210010344.1

申请日：2012-01-13

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 富冈勉

IPC: H03F3/30

CPC classification number: H03F3/265 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/45674

Abstract: 本发明提供输出电路，其能够流过更充分的输出电流。在PMOS晶体管(12)的漏极电流大的情况下，PMOS晶体管(13)在非饱和区域内进行动作。此时，NMOS晶体管(14)以及(17)的栅极电压上升到电源端子电压附近。因此，NMOS晶体管(17)的栅极/源极间电压变大而流过充分的输出电流。

公开(公告)号：CN105634051A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510789460.1

申请日：2015-11-17

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 今泉荣龟

IPC: H02J7/00 ,  G01R31/36

Abstract: 本发明提供一种电池余量预测装置以及电池组，该电池组低成本并且能够高精度地预测充电池的电池余量。电池余量预测装置具有：电压检测部，其测定电池的电池电压和电池温度；运算部，其根据电池电压和电池温度来预测计算电池余量；以及控制部，其控制电池余量预测装置的动作以及运算部，所述电池余量预测装置采用了通过如下的运算流程来预测所述电池的余量的结构，该运算流程是根据电池等效电路中的电池的内部阻抗、以及以规定的时间间隔测定出的电池电压和电池温度，对电池余量进行递归计算。

公开(公告)号：CN105606240A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510763715.7

申请日：2015-11-11

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 中下贵雄

IPC: G01K7/01

Abstract: 本发明题为温度检测电路及半导体装置。本发明提供检测温度的制造偏差少且能够简便地调整检测温度的制造偏差的温度检测电路。温度检测电路采用这样的结构，即具备：输出恒流的恒流电路；难过热敏元件输出的电压来进行控制并输出对应于温度的电流的电压控制电流电路；以及比较恒流和对应于温度的电流并输出表示检测到既定温度的检测信号的电流比较器，使恒流电路的温度特性和电压控制电流电路的温度特性具有相关，以比较恒流电路的输出电流和电压控制电流电路的输出电流的结果进行温度检测。

公开(公告)号：CN105591633A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510628969.8

申请日：2015-09-28

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 佐野稔

IPC: H03K3/02

Abstract: 振荡电路，其为低消耗电流、低占用面积和振荡频率的精度良好的CR振荡电路。所述CR振荡电路构成为具有：基准电压电路，其切换并输出基准电压；第一恒流源，其对电容进行充电；第二恒流源，其对电容进行放电；电压比较器，其对基准电压电路与电容的电压进行比较；以及逻辑电路，逻辑电路根据电压比较器的输出信号，同时切换基准电压电路和恒流源。

公开(公告)号：CN105576029A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510731674.3

申请日：2015-11-02

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 三室阳一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在制造搭载有LOCOS漏极型MOS晶体管的集成电路的过程中，对形成栅极的多晶硅膜进行图案化时，有时会产生图案形成不良而使栅极发生偏移。本发明提供一种搭载有LOCOS漏极型MOS晶体管的集成电路，其即使产生图案异常，也不会发生耐压的下降，不会导致耐压不良。通过在LOCOS漏极型MOS晶体管的漏极侧的有源区上形成比栅极氧化膜厚的漏极氧化膜，即使栅极到达漏极的有源区，MOS晶体管的耐压也不会下降。