半导体装置及半导体装置的制造方法

Invention Grant

CN102420146B 半导体装置及半导体装置的制造方法失效 - 权利终止

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Patent Title: 半导体装置及半导体装置的制造方法
Application No.: CN201110302770.8

Application Date: 2011-09-23
Publication No.: CN102420146B

Publication Date: 2016-06-29
Inventor: 斎藤直人
Applicant: 精工半导体有限公司
Applicant Address: 日本千叶县
Assignee: 精工半导体有限公司
Current Assignee: 艾普凌科有限公司
Current Assignee Address: 日本千叶县
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 何欣亭; 朱海煜
Priority: 2010-214467 2010.09.24 JP
Main IPC: H01L21/336
IPC: H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/78

Abstract:

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，不用增加很大的工序且采用控制性优良的工序，与CMOS在同一衬底上实现改变了P-体的深度的沟槽MOSFET。在沟槽MOSFET中，在P-体区域(4)的一部分的与深沟槽(5)分开的附近，设置扩散成比P-体区域(4)更深的延伸体区域(10)。

Abstract(English):

To realize forming a trench MOSFET in which a depth of a P-body is changed on the same surface as a CMOS by employing steps with good controllability and without greatly increasing the number of manufacturing steps, provided is a trench MOSFET including an extended body region (10), which is a part of a P-body region (4) and is provided in a vicinity of a deep trench (5) with a distance, the extended body region (10) being diffused deeper than the P-body region (4).

Public/Granted literature

CN102420146A 半导体装置及半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2012-04-18

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的