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公开(公告)号：CN102420146B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110302770.8
申请日：2011-09-23
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 斎藤直人
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/66734
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，不用增加很大的工序且采用控制性优良的工序，与CMOS在同一衬底上实现改变了P-体的深度的沟槽MOSFET。在沟槽MOSFET中，在P-体区域(4)的一部分的与深沟槽(5)分开的附近，设置扩散成比P-体区域(4)更深的延伸体区域(10)。
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