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公开(公告)号：CN103325835B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310202568.7
申请日：2013-05-28
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP SOI LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分布，提高器件耐压；另一方面，在反向阻断状态时，结型场板辅助耗尽器件漂移区，使器件漂移区掺杂浓度大幅提高，从而降低导通电阻；高K介质用作场介质层，更有利于导通电阻和静态功耗的降低。与常规金属场板相比，结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷；与多晶电阻场板相比，结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。此外，本发明也与SOI CMOS电路具有很好的兼容性。
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公开(公告)号：CN103441143B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310289169.9
申请日：2013-07-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
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公开(公告)号：CN104834956A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510218400.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明涉及一种超高频和高频射频识别标签及其信号传输方法，包括超高频天线、高频天线、切换开关、解调器、控制器、安全识别器、处理器、调制器、报警器和电源。本发明实现了在射频识别标签中集成超高频天线、高频天线、两天线共用同一芯片，先采用超高频信号进行阅读器和标签之间信号的传输，当超高频信号受外界环境影响，信号质量低时，采用高频信号进行阅读器和标签之间信息的传输；有效结合超高频信号和高频信号优点，满足阅读器和标签之间信号的高效和安全传输，且标签成本低。
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公开(公告)号：CN104829239A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
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公开(公告)号：CN103165657B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104789926A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN102751199B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210226462.6
申请日：2012-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外延横向过生长形成体区等关键工艺步骤,具有以下优点：避免了沟槽的填充及平坦化、槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响；槽栅底部与体区下界面平齐或低于体区下界面，从而提高器件耐压；不需要复杂的掩模，避免了小角度注入工艺对沟道区的影响；避免采用多次外延注入的方式形成超结以及所带来得晶格缺陷；大大降低了导通电阻。
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公开(公告)号：CN102832134B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210316793.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术，仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件，节约了制造成本，且超薄源区的形成不受光刻精度的制约，可以做得极窄，从而能够有效防止槽栅VDMOS器件中寄生BJT晶体管的开启，提高器件的抗UIS失效能力。
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公开(公告)号：CN102790087B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210248776.6
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规nLDMOS器件的漂移区和漏极接触区之间引入制作低压器件的P阱与N阱，迫使ESD电流流经器件更深区域，降低ESD应力下的尖峰功率密度，避免电流集中于器件表面，在大幅改善漏端鸟嘴处的可靠性基础上，改善了器件的散热均匀性，从而提高了器件ESD保护能力。本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容，不会不显著增加器件成本。
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