-
公开(公告)号：CN103414447A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310355803.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。
-
公开(公告)号：CN105811753A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610154834.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC classification number: H02M3/00 , H05K1/0218
Abstract: 本发明提供一种LTCC耐大电流DC?DC变换器基板，包括底部含有气隙层的电感、金属屏蔽层、陶瓷层、表面印制电路、表贴器件，电感包括上下两磁性层、夹在两磁性层之间的非磁性层、内埋的导线，所述非磁性层即气隙层；本发明通过磁性材料与非磁性材料的匹配共烧，在电感中通过引入非磁性的气隙层，提高的电感的抗直流偏置的能力，使得整个变换器能在更大电流的情况下工作；避免了原来直接在磁性层上印制表面电路，走线之间的耦合问题；同时屏蔽层的加入，使得底层的磁性器件和表面的电路处在两个相对独立的工作环境中，减少了磁性器件工作时对电路产生的影响。
-
公开(公告)号：CN103414447B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310355803.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。
-
公开(公告)号：CN104829239B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
-
公开(公告)号：CN104829239A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106142292A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610494471.1
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种应用于共烧陶瓷技术的超薄生瓷带的制作方法，属于电子材料与工艺技术领域。本发明采用光刻的图形转移原理，首先在感光胶中均匀分散陶瓷粉料，加入有机溶剂制得感光陶瓷复合溶液；然后通过旋涂工艺使得感光陶瓷复合溶液涂敷在固定的基板上形成均匀、无缺陷的薄膜；在制得的薄膜上覆盖特定掩膜板，经过曝光、显影处理形成目标图形，最后烘干、固化制得生瓷片。本发明制备出的生瓷带厚度小于10μm，解决了传统流延工艺制备的生瓷带膜厚极限的问题，可以实现在相同的器件尺寸下增加布线层数的要求；同时，本发明结合光刻胶材料的图形转移原理，解决了陶瓷生瓷带图形加工工艺问题，可提高组装密度、生产效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN107573067A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710758267.0
申请日：2017-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: C04B35/493 , C04B35/64 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供一种锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法，包括下述步骤：将PbO原料粉体、ZrO2原料粉体、TiO2原料粉体及Sm2O3原料粉体按Pb1-xSmx(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3化学通式进行配料，获得混合粉体；球磨，烘干，并预烧得到预烧结粉体；用淬火法制备玻璃助烧剂LBBS，将预烧结粉体与玻璃助烧剂混合、球磨、烘干、造粒，并压片得到压电陶瓷生坯；将压电陶瓷生坯进行排胶和烧结，得到压电陶瓷片，本发明将压电陶瓷片的烧结温度从1000℃以上降低至850℃，很大程度上减少了铅(熔点为980℃)的挥发，减轻了对人体的损害及环境的污染，提高了陶瓷烧结的致密化，相对密度达到95％。
-
公开(公告)号：CN120058361A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510196172.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 电子科技大学 , 成都宏科电子科技有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/30 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种MLCC微波陶瓷电容用铌酸锌基复合陶瓷材料。本发明以铌酸盐成分的微波介电陶瓷复合材料为主料，使用Ti和W联合取代ZnNb2O6中的B位Nb离子形成ZnNb1.98(TiW)0.01O6微波陶瓷主相；选择τf＝+78.6ppm/℃，εr＝56.3的Ni0.5Ti0.5NbO4材料作为复合相，通过传统的固相反应法在1050℃～1150℃下烧结得到复合陶瓷材料，在保证了两相复合过程中不产生杂相的同时，实现材料谐振频率温度系数近零调控、中介电常数、且保持高Q值的特性。可应用于基于多层陶瓷共烧技术的陶瓷电容制作。
-
公开(公告)号：CN116639967B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310687411.1
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115385680B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211117935.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/645 , H01F1/01
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法。本发明通过严格控制Bi离子在YIG旋磁铁氧体中的替代量在12.5～13.5之间，再通过Gd、V、Ca、Zr等离子的复合替代，以及二次球磨时的H3BO3和WO3微量掺杂，并在工艺上引入了热等静压的工艺，最终制备出4πMs为1838～1850Gs，介电常数27～31，铁磁共振线宽≤20Oe的高介低线宽旋磁铁氧体材料。本发明让旋磁铁氧体材料高介电常数和低铁磁共振线宽的兼具成为可能，为微波铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
176
records
(took 0.054 seconds)
