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    LTCC耐大电流DC-DC变换器基板
    5.
    发明公开
    LTCC耐大电流DC-DC变换器基板 无效

    公开(公告)号：CN105811753A

    公开(公告)日：2016-07-27

    申请号：CN201610154834.7

    申请日：2016-03-17

    申请人： 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

    发明人： 李元勋 ,  叶剑 ,  苏桦 ,  谢云松 ,  张怀武 ,  唐晓莉

    IPC分类号： H02M3/00 ,  H05K1/02

    CPC分类号： H02M3/00 ,  H05K1/0218

    摘要： 本发明提供一种LTCC耐大电流DC?DC变换器基板，包括底部含有气隙层的电感、金属屏蔽层、陶瓷层、表面印制电路、表贴器件，电感包括上下两磁性层、夹在两磁性层之间的非磁性层、内埋的导线，所述非磁性层即气隙层；本发明通过磁性材料与非磁性材料的匹配共烧，在电感中通过引入非磁性的气隙层，提高的电感的抗直流偏置的能力，使得整个变换器能在更大电流的情况下工作；避免了原来直接在磁性层上印制表面电路，走线之间的耦合问题；同时屏蔽层的加入，使得底层的磁性器件和表面的电路处在两个相对独立的工作环境中，减少了磁性器件工作时对电路产生的影响。

    一种应用于共烧陶瓷技术的超薄生瓷带的制作方法
    6.
    发明公开
    一种应用于共烧陶瓷技术的超薄生瓷带的制作方法 无效

    公开(公告)号：CN106142292A

    公开(公告)日：2016-11-23

    申请号：CN201610494471.1

    申请日：2016-06-29

    申请人： 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

    发明人： 李元勋 ,  李亚菲 ,  苏桦 ,  陈大明 ,  韩莉坤 ,  张怀武 ,  谢云松

    IPC分类号： B28B1/30 ,  B28B11/00

    CPC分类号： B28B1/30 ,  B28B11/00

    摘要： 本发明公开了一种应用于共烧陶瓷技术的超薄生瓷带的制作方法，属于电子材料与工艺技术领域。本发明采用光刻的图形转移原理，首先在感光胶中均匀分散陶瓷粉料，加入有机溶剂制得感光陶瓷复合溶液；然后通过旋涂工艺使得感光陶瓷复合溶液涂敷在固定的基板上形成均匀、无缺陷的薄膜；在制得的薄膜上覆盖特定掩膜板，经过曝光、显影处理形成目标图形，最后烘干、固化制得生瓷片。本发明制备出的生瓷带厚度小于10μm，解决了传统流延工艺制备的生瓷带膜厚极限的问题，可以实现在相同的器件尺寸下增加布线层数的要求；同时，本发明结合光刻胶材料的图形转移原理，解决了陶瓷生瓷带图形加工工艺问题，可提高组装密度、生产效率和可靠性。

    锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法
    7.
    发明公开
    锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法 无效

    公开(公告)号：CN107573067A

    公开(公告)日：2018-01-12

    申请号：CN201710758267.0

    申请日：2017-08-29

    申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

    发明人： 李元勋 ,  郑阳 ,  陈大明 ,  郁国良 ,  李亚菲 ,  苏桦 ,  刘悦 ,  张怀武

    IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/64 ,  H01L41/43

    摘要： 本发明提供一种锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法，包括下述步骤：将PbO原料粉体、ZrO2原料粉体、TiO2原料粉体及Sm2O3原料粉体按Pb1-xSmx(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3化学通式进行配料，获得混合粉体；球磨，烘干，并预烧得到预烧结粉体；用淬火法制备玻璃助烧剂LBBS，将预烧结粉体与玻璃助烧剂混合、球磨、烘干、造粒，并压片得到压电陶瓷生坯；将压电陶瓷生坯进行排胶和烧结，得到压电陶瓷片，本发明将压电陶瓷片的烧结温度从1000℃以上降低至850℃，很大程度上减少了铅(熔点为980℃)的挥发，减轻了对人体的损害及环境的污染，提高了陶瓷烧结的致密化，相对密度达到95％。

    一种超低损耗低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种超低损耗低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118851759A

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202410842580.2

    申请日：2024-06-27

    申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)

    发明人： 苏桦 ,  刘艺维 ,  简贤 ,  王俊伟

    IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

    摘要： 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种超低损耗低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，本发明提供的LTCC材料，采用适量的Li3Mg2NbO6、Li2WO4和(Li0.5Y0.5)MoO4按一定比例进行三相复合得到。Li3Mg2NbO6材料的优点是具有很低的介电损耗，同时复合加入适量的Li2WO4则有助于改善材料体系的微观形貌，提升致密化程度，在维持很低介电损耗的同时，将材料体系的烧结温度降低至925～950℃。而适量(Li0.5Y0.5)MoO4的复合一方面可以进一步将材料体系烧结温度进一步降低至890～900℃，从而能更好的与LTCC工艺兼容，同时还能调控材料的谐振频率温度系数。

    一种无助熔剂LTCC微波陶瓷材料及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种无助熔剂LTCC微波陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110723965B

    公开(公告)日：2024-06-28

    申请号：CN201911139445.7

    申请日：2019-11-20

    申请人： 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

    发明人： 苏桦 ,  黄芳仪 ,  唐晓莉 ,  李元勋 ,  陶志华 ,  陈加旺 ,  陈振威

    IPC分类号： C04B35/14 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，涉及一种无助熔剂的LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的LTCC微波陶瓷材料，低介低损耗，以CaMg1‑x‑yLi2xZnySi2O6为主晶相，0.1≤x≤0.3，0.1≤y≤0.3，于850℃～950℃烧结，介电常数εr6.9～7.8，品质因数Q×f值25000GHz～45800GHz，谐振频率温度系数τf为‑30～‑40ppm/℃，通过固相法制备。有效降低信号传输过程中的损耗和信号串扰风险，可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中；材料体系中未加入任何玻璃助熔剂，不仅降低了材料制备工艺和成本，而且更有利于提升材料的品质因数并减少因玻璃掺杂引起的LTCC工艺兼容性问题；生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作并利于降低成本。

    一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用
    10.
    发明公开
    一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN118084477A

    公开(公告)日：2024-05-28

    申请号：CN202410061472.1

    申请日：2024-01-16

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 李元勋 ,  杨瑞 ,  阮丽梅 ,  李馥余 ,  刘新研 ,  苏桦

    IPC分类号： C04B35/447 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  G01R1/067

    摘要： 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用。本发明以具有负热膨胀系数、低介电常数的CZP陶瓷材料为基础，通过掺杂MgF2来改善CZP陶瓷的烧结性能，通过不同的掺杂量，在1000℃～1100℃较低温度下烧结致密化，使得改性后的CZP陶瓷材料的热膨胀系数CTE在2.9×10‑6/℃～5.87×10‑6/℃、介电常数为5.63～9.19、杨氏模量为40GPa～147Gpa。本发明提供了一种低介电常数、近硅的低热膨胀系数、较高机械强度、致密度良好的CZP复合陶瓷材料，可应用于基于多层陶瓷共烧技术制作晶圆探针卡陶瓷转接基板材料使用。