公开(公告)号：CN118136582A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410284954.3

申请日：2024-03-13

申请人： 日荣半导体(上海)有限公司

发明人： 郑刚

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  B23K10/00 ,  B24B7/22

摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种采用离子束蚀刻分割硅基衬底芯片的工艺制程，包括如下步骤：(1)晶圆接收；(2)贴BG膜；(3)磨片；(4)UV解胶；(5)清洗甩干；(6)贴PESi膜；(7)等离子切割。为了解决晶圆切割速度慢、产能低的问题，本发明采用高能离子束来蚀刻轰击切割道，实现芯片快速分离，并且具备小尺寸芯片分离的目的。本发明采用高能离子束来蚀刻轰击切割道，来实现芯片快速分离，并且具备小尺寸芯片分离的目的，本发明提供的工艺制程高效、低成本、高良率，最低可实现5μm宽度的分割。

公开(公告)号：CN118107080A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311580404.8

申请日：2023-11-24

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高木保志 ,  山下钦也 ,  上野和起

IPC分类号： B28D5/02 ,  B28D5/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法，即使在尺寸不同的半导体芯片混合存在的情况下，也能够将各个半导体芯片适当地设为容易从切割片剥离的状态而进行拾起。拾取装置(10)具有：工作台(12)，其具有与贴附有半导体芯片(101)的切割片(100)的背面相对地配置的多个凸起部(13)；以及吸引单元(14)，其将外框(11)、切割片(100)、工作台(12)之间的空间抽真空。多个凸起部(13)包含彼此高度或上下方向的弹性模量不同的多个第1凸起部(13a)和多个第2凸起部(13b)。

公开(公告)号：CN118099263A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311344121.3

申请日：2023-10-16

申请人： 浙江光特科技有限公司

发明人： 万远涛 ,  廖世容 ,  龚正致 ,  叶瑾琳

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种窄波长增透倒装APD芯片及其制备方法，APD芯片包括InP衬底，所述InP衬底的正面一侧设有外延功能层；InP衬底的背面设有滤光片。本发明通过采用在InP衬底的背面设置滤光片，在InP衬底的正面设置P型电极和N型电极，实现对波长为1535nm±4或者1550±4nm激光的强吸收，从而在芯片级形成对特定窄波长的增透，进而使得在激光雷达制造过程中，可以节省空间，提高系统集成化程度，使得激光雷达的制备更加小型化以及紧凑化。

公开(公告)号：CN118095965A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410492186.0

申请日：2024-04-23

申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司

发明人： 王国宏 ,  李璟 ,  郭德博

IPC分类号： G06Q10/0639 ,  H01L21/78 ,  G06Q10/04 ,  G06Q10/047 ,  G06Q50/04 ,  G06F18/23 ,  G06N3/042 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0464 ,  G06T7/00

摘要： 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种非对称几何结构半导体芯片制备方法。该方法首先获取不同角度下的芯片图像，其中，每个芯片图像被均分划分出至少两个子块；合并同一芯片对应的不同角度下的芯片图像，得到目标图像；获取芯片图像对应的刀路切割时间和过热温度系数；将芯片图像、刀路切割时间和过热温度系数输入训练好的专家模型，判断芯片图像对应的芯片排布的质量。本发明实施例提出的制备方法通过分析半导体芯片的表面反射特性，确定角度和姿态，以及综合的排布模式，从而优化芯片排布情况。

公开(公告)号：CN118081886A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410298283.6

申请日：2024-03-15

申请人： 苏州赛尔科技有限公司

发明人： 陈昱 ,  冉隆光 ,  贾楠 ,  毛金锐 ,  黎梅 ,  李斌

IPC分类号： B26D7/26 ,  B26D1/00 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种WLCSP用超薄划片刀，属于划片刀技术领域，其主要针对传统的划片刀容易受到冲击或震动影响，导致划片刀破损的问题，提出如下技术方案，包括转动轴与刀片基环，转动轴上套设有刀片基环，转动轴上还设置有定位环，刀片基环通过连接组件与定位环连接，连接组件包括有第一连接件，定位环一侧与第一连接件接触，转动轴的一端开设有连接孔，连接孔内穿设有固定螺栓，连接组件卡设在固定螺栓与定位环之间，转动轴另一端与加工设备连接；通过连接组件的设置，能够通过两组防滑耐磨层进行一定程度的转动吸收外力,从而有效防止刀片基环受损，解决了传统的划片刀容易受冲击或震动导致破损的问题，提高了安全性。

公开(公告)号：CN117878024B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410264284.9

申请日：2024-03-08

申请人： 江苏京创先进电子科技有限公司 ,  南京理工大学

发明人： 孙志超 ,  陆野 ,  高阳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/78

摘要： 本申请公开了一种喷流块、喷流装置及划片机。所述喷流块包括主体部以及连接于主体部的安装部，主体部具有入口流道、出口流道和第一流道和第二流道，第一流道沿主体部的长度方向延伸并与入口流道的出口相连通；第二流道沿主体部的长度方向延伸，第二流道的入口高于第一流道的最低处，第二流道用于连通第一流道与多个出口流道。在喷水过程中，第一流道和第二流道作为入口流道和出口流道之间的缓存区，使出口流道的入口远离入口流道的出口与第一流道交界处形成的涡流区，流体在其重力作用下先涌入第一流道后再稳定地涌入第二流道，保证射流的平稳性，减少射流的扩散或破碎现象，提高射流的清洗能力。

公开(公告)号：CN111524805B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010300164.1

申请日：2020-04-16

申请人： 绍兴同芯成集成电路有限公司

发明人： 严立巍 ,  李景贤 ,  陈政勋

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，属于晶圆加工领域。一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，包括以下步骤：将所述晶圆与玻璃载板键合在一起，且两者之间形成键合层；涂布光阻层，并进行黄光工艺；使用腐蚀气体对所述晶圆进行干蚀刻，形成切割道；使用氧电浆去除所述光阻层。与现有技术相比，本申请的电浆切割工艺能够切割得到较细的切割道，并且工艺过程中，不产生焦化物。

公开(公告)号：CN111146145B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201911040775.0

申请日：2019-10-30

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： E·N·托伦蒂诺 ,  周志雄 ,  林育圣 ,  许瑞霞

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L29/739

摘要： 本发明题为“增强的半导体管芯及相关方法”。本发明公开了形成多个增强的管芯的方法的实施方式，该实施方式可以包括：在衬底上形成多个管芯；以及图案化金属组框架以形成多个金属板。多个金属板可以对应于多个管芯。该方法可以包括将金属组框架耦接在多个管芯上方并切单多个管芯。多个管芯中的每个管芯可以包括来自耦接在多个管芯上方的多个金属板中的对应金属板。

公开(公告)号：CN118039609A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211357717.2

申请日：2022-11-01

申请人： 华东科技股份有限公司

发明人： 于鸿祺 ,  林俊荣 ,  古瑞庭

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开一种具电磁干扰屏蔽层的芯片封装结构及其制造方法，其中该芯片封装结构包含一芯片、一重布线层、一绝缘层及一电磁干扰屏蔽层；其中该绝缘层是在该绝缘层的至少一第一开口的环周围处形成有一环周壁以包围住各第一开口，并使在该环周壁的外围区域形成一凹下的平台，且该平台的水平高度是低于该环周壁的水平高度；其中该电磁干扰屏蔽层是覆盖地设于该绝缘层的该平台上供用以防止各导接线路及该芯片受到电磁干扰；其中该电磁干扰屏蔽层是通过该绝缘层的该环周壁以与各焊垫隔离并电性绝缘，以提升产品的信赖度而增加产品的市场竞争力。

公开(公告)号：CN117855112B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410264293.8

申请日：2024-03-08

申请人： 江苏京创先进电子科技有限公司 ,  南京理工大学

发明人： 孙志超 ,  陆野 ,  高阳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/78

摘要： 本申请公开了一种喷流块、喷流装置及划片机。所述喷流块包括主体部以及连接于主体部在其长度方向一侧的安装部，主体部具有入口流道、多个出口流道以及用于连通入口流道和多个出口流道的过渡流道，其中，扩散问题较为严重的出口流道为靠近入口流道的最外侧的出口流道，将该出口流道记为第一出口流道，通过在该过渡流道内与该第一出口流道相对的位置处增设挡片，且第一出口流道的中心线位于挡片所在平面内，第一出口流道的入口低于挡片的最低面，从而在不影响流体流入该第一出口流道的入口的情况下，避免在该第一出口流道的入口处形成不稳定的漩涡，保证出口射流的稳定性，减少射流扩散和破碎问题，提高射流的清洗能力。