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公开(公告)号：CN118095965B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410492186.0
申请日：2024-04-23
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G06Q10/0639 , H01L21/78 , G06Q10/04 , G06Q10/047 , G06Q50/04 , G06F18/23 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06T7/00
摘要： 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种非对称几何结构半导体芯片制备方法。该方法首先获取不同角度下的芯片图像，其中，每个芯片图像被均分划分出至少两个子块；合并同一芯片对应的不同角度下的芯片图像，得到目标图像；获取芯片图像对应的刀路切割时间和过热温度系数；将芯片图像、刀路切割时间和过热温度系数输入训练好的专家模型，判断芯片图像对应的芯片排布的质量。本发明实施例提出的制备方法通过分析半导体芯片的表面反射特性，确定角度和姿态，以及综合的排布模式，从而优化芯片排布情况。
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公开(公告)号：CN117352415B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311654625.5
申请日：2023-12-05
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种红光LED倒装芯片结构的制备方法；根据红光LED倒装芯片制备中的AFM图像中像素点的高度特征、制备DBR反射镜工艺中的镜面图像的亮度分布特征度分布特征获得结构描述子。根据红光LED倒装芯片的电压电流变化特征和红光波段的光谱功率特征获得质量描述子。根据结构描述子和质量描述子获得不同的工艺表征向量，根据工艺表征向量的差异特征获得工艺差异向量和对应的级别标签。本发明根据不同制备批次的级别标签的变化情况进行预测，能够在后续批次未制备的情况下提前预测红光LED倒装芯片的制备效果，提前进行制备参数调节，进而提高了制备的良品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN118196099B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410616067.1
申请日：2024-05-17
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/90 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明涉及光电器件技术领域，具体涉及一种纤维机械增强的LED显示阵列的制作方法。该方法首先获取散布玻璃纤维后的LED图像；基于Bayer阵列特性和RGB通道，对所述LED图像进行分析，确定高频纹理区域；基于Gabor核，确定每个所述高频纹理区域的主方向分布特征描述子和LED图像的各向异性特征描述子；将所述LED图像、所述主方向分布特征描述子和所述各向异性特征描述子输入训练好的神经网络，得到LED图像的质量标签。本发明能自动评估玻璃纤维散布后的LED的质量，节省了人工时间并提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118095965A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410492186.0
申请日：2024-04-23
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G06Q10/0639 , H01L21/78 , G06Q10/04 , G06Q10/047 , G06Q50/04 , G06F18/23 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06T7/00
摘要： 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种非对称几何结构半导体芯片制备方法。该方法首先获取不同角度下的芯片图像，其中，每个芯片图像被均分划分出至少两个子块；合并同一芯片对应的不同角度下的芯片图像，得到目标图像；获取芯片图像对应的刀路切割时间和过热温度系数；将芯片图像、刀路切割时间和过热温度系数输入训练好的专家模型，判断芯片图像对应的芯片排布的质量。本发明实施例提出的制备方法通过分析半导体芯片的表面反射特性，确定角度和姿态，以及综合的排布模式，从而优化芯片排布情况。
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公开(公告)号：CN116465608B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310605273.8
申请日：2023-05-26
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G01M11/02 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/74 , G06V10/26
摘要： 本发明涉及半导体配件技术领域，具体涉及一种MicroLED三基色发光阵列光色检测方法。首先基于LED发光单元不同观看角度下容易出现色偏的特征，获得LED面板局部区域的每个预设方向下的不同视野尺寸的视野切片，根据视野切片获得轴向亮度图像和轴向亮度模型。根据轴向亮度模型之间的差异获得品质描述子，通过不同LED面板之间品质描述子的差异获得品质等级。根据品质等级以及LED面板的特征张量训练品质识别神经网络。将待检测LED面板通过品质识别神经网络获得品质等级，最终获得可视角度范围完成校准和筛选。提高了大批量LED面板光色效果的检测效率以及准确性。
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公开(公告)号：CN118196099A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410616067.1
申请日：2024-05-17
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/90 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明涉及光电器件技术领域，具体涉及一种纤维机械增强的LED显示阵列的制作方法。该方法首先获取散布玻璃纤维后的LED图像；基于Bayer阵列特性和RGB通道，对所述LED图像进行分析，确定高频纹理区域；基于Gabor核，确定每个所述高频纹理区域的主方向分布特征描述子和LED图像的各向异性特征描述子；将所述LED图像、所述主方向分布特征描述子和所述各向异性特征描述子输入训练好的神经网络，得到LED图像的质量标签。本发明能自动评估玻璃纤维散布后的LED的质量，节省了人工时间并提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118154592A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410569020.4
申请日：2024-05-09
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
摘要： 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种PCB板焊点桥接缺陷检测方法。包括：根据目标像素点局部区域内所有像素点的灰度值以及目标像素点局部区域内不同方向上对应像素点的灰度分布差异获得目标像素点的局部区域为焊接区域的置信度；根据目标像素点的局部区域的局部边缘的规整特征，获得目标像素点的局部区域的形状规整度；根据目标像素点的局部区域为焊接区域的置信度以及目标像素点的局部区域的形状规整度，获得目标像素点的局部区域为焊接区域的最终置信度；根据分割参数图像进行图像分割，获得焊接区域，再检测焊点桥接缺陷。根据分割参数图像进行分割使分割区域更加准确，进而使缺陷检测结果更准确。
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公开(公告)号：CN117611952A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410069186.X
申请日：2024-01-17
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G06V10/774 , G06V10/75 , G06V10/26 , G06V10/40 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/06 , G06N3/0464 , G06N3/08 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及LED半导体封装切割技术领域，具体涉及一种LED封装结构的制备方法。该方法根据历史封装过程中的激光切割数控代码及其加工时间获得加工代价值。根据加工代价值筛选出两类第一训练样本并参与孪生网络的训练，利用孪生网络提取LED分布图像的第一特征向量的第二特征向量。利用第二特征向量进行训练，获得预测专家模型和样本分类器。利用样本分类器筛选出复杂样本并利用振动托盘将其改变为非复杂样本，非复杂样本参与预测专家模型的预测，根据一个预测加工时长进行封装切割。本发明通过两种模型的协同工作，实现对批量LED封装切割的有效预测与控制。
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公开(公告)号：CN116465608A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310605273.8
申请日：2023-05-26
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
IPC分类号： G01M11/02 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/74 , G06V10/26
摘要： 本发明涉及半导体配件技术领域，具体涉及一种MicroLED三基色发光阵列光色检测方法。首先基于LED发光单元不同观看角度下容易出现色偏的特征，获得LED面板局部区域的每个预设方向下的不同视野尺寸的视野切片，根据视野切片获得轴向亮度图像和轴向亮度模型。根据轴向亮度模型之间的差异获得品质描述子，通过不同LED面板之间品质描述子的差异获得品质等级。根据品质等级以及LED面板的特征张量训练品质识别神经网络。将待检测LED面板通过品质识别神经网络获得品质等级，最终获得可视角度范围完成校准和筛选。提高了大批量LED面板光色效果的检测效率以及准确性。
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公开(公告)号：CN115274951A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111296101.4
申请日：2021-11-03
申请人： 南京阿吉必信息科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种红光LED发光芯片结构和制备方法，包括红光LED外延片，所述红光LED外延片的P面设置有电极结构，所述电极结构为依次设置的ITO透明电极层和P电极金属层，所述红光LED外延片的N面为N电极金属层，所述p+‑GaP层为两个长方体形状，所述P电极金属层位于ITO透明电极层上面，所述P电极金属层为中间分隔开的两个长方形电极，所述P电极金属层位于p+‑GaP层的两个长方体之间。通过p+‑GaP刻蚀成两个长方体形状，其面积根据注入电流大小而定，通过ITO透明电极及p+‑GaP将电流注入到AlGaInP多量子阱发光区中，P电极下方没有电流注入，P电极不遮挡多量子阱发出的光，由此使红光LED芯片能够工作在发光效率峰值附近，提高发光强度。
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