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公开(公告)号：CN104916737B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410745589.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
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公开(公告)号：CN205212767U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521096244.0
申请日：2015-12-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H02S30/10
Abstract: 本实用新型公开了一种光伏旁路模块封装框架，一条封装框架包含20个引线材料单元，每个引线材料单元能封装成一只光伏旁路模块，每个引线材料单元包括一个载体区域和三个I/O管脚，每个引线材料单元的载体区域设置有精压沟槽，精压沟槽将矩形的载体区域分割成A、B、C、D四个单独的区域，其中A区域位于下排，D、C、B区域在上排从左到右依次设置，且D区域局部镀银，镀银区与D区域的边界之间留有空隙。在载体区域增设精压沟槽，将载体区域分割成A、B、C、D四个单独的区域，精压沟槽起到导流作用，并改善了分层，保障了产品的可靠性，有效提高光伏旁路模块封装的良率、可靠性及封装稳定性。
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公开(公告)号：CN222914803U
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202421840010.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型属于半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种顶部散热式MOS的封装结构，包括框架本体，包括并排且依次设置的第一基岛、第二基岛和第三基岛，以及平行设置于对侧的第四基岛，第一基岛、第二基岛和第三基岛分别连接有一个引脚区，第四基岛连接有三个引脚区；芯片组，包括在第一基岛、第二基岛和第三基岛上分别设置的第一芯片、第二芯片和第三芯片，以及在第四基岛上沿其长度方向并排设置的第四芯片、第五芯片和第六芯片；封装层，包覆于框架本体上，并使框架本体背离芯片组的一侧及所有引脚区外露。本实用新型实现了6个MOS芯片合封为一个器件，提高了PCB的空间利用率，且降低了生产成本，并能用于大功率大电流的应用场景。
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公开(公告)号：CN220963321U
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202322752729.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型属于半导体封装技术领域，提供一种芯片顶面散热的封装结构。本实用新型包括引线框架、芯片和封装体，所述引线框架包括框架本体和分别设置在所述框架本体两侧的左引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚配置成用于抬高所述框架本体，且所述框架本体上设置有基岛；所述芯片设置在所述基岛上，所述芯片背离所述框架本体的一面连接有导热件；所述封装体封装于所述芯片、所述导热件和所述引线框架外部，且所述框架本体背离所述芯片的一面、所述左引脚和所述右引脚的末端均外露于所述封装体。本实用新型可以实现芯片顶面快速散热，提高封装结构的散热能力，有利于封装结构的温度维持在安全范围，提高封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN217983334U
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202222292524.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205211740U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521096623.X
申请日：2015-12-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/97
Abstract: 本实用新型公开了一种双基岛共阳极肖特基封装框架，包括引线框架管脚部分与引线框架散热部分，两者通过绝缘陶瓷烧结粘合而成，一条封装框架包含20个引线材料单元，每个引线材料单元能封装成一只双基岛共阳极肖特基模块，每个引线材料单元的管脚部分包括两个独立设置的基岛和三个I/O管脚，基岛作为载体用于安装肖特基芯片，芯片安装时，正面朝上，背面朝下，且两个芯片通过导线连接到中间的I/O管脚上，使得位于左右两侧的I/O管脚为阴极，位于中间的I/O管脚为阳极。该封装框架采用双基岛，分体式单排排列，双基岛安装普通肖特基芯片，双基岛式载体区阴极分离、阳极共用，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。
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公开(公告)号：CN221508172U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202420032414.1
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种DFN3x3双面散热框架，包括上边框、下边框、两个竖向边框和多个支杆形成的框架结构，支杆的一端与上边框连接，支杆的另一端与下边框连接，所有支杆相互平行且等距设置，支杆将框架结构分隔成多个安装区域，双面散热框架还包括多个引线框架，引线框架与安装区域一一对应，引线框架设置在对应的安装区域内，引线框架的两个侧面设有多个框架本体，框架本体用于设置铜片和封装结构，采用本实用新型的目的是，通过双面散热框架、跳线及封装结构，可在封装时，实现双面散热，增加散热途径，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低热阻和导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。
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公开(公告)号：CN208271906U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820967474.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN221928070U
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202420032396.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种DFN8x8双面散热框架、铜片及封装结构，DFN8x8双面散热封装结构包括引线框架，引线框架为平面结构，在引线框架的两个侧面上设有多个单元框架，每个单元框架上依次设有芯片、铜片和塑封体，引线框架的边缘上还设有多个定位孔，在引线框架内还竖向设有多个支杆，支杆的两端均与引线框架连接，所有支杆相互平行且等距设置，支杆将引线框架分隔成多个可拆卸连接的框架单元，支杆沿其长度方向还设有多个折弯孔，折弯孔为条形孔，折弯孔的长度方向与支杆平行，采用本实用新型的有益效果是，该封装结构保留了标准封装的尺寸和底部的设计，同时将顶部的铜片显露于在外部，以进一步提升散热效率，有效降低热阻，提升电气性能和延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN221508171U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202420024177.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种STOLL双面散热框架，包括多个引线框架，引线框架为平面结构，引线框架的两个侧面上设有多个单元框架，引线框架的边缘上还设有连接筋，两个相邻的引线框架通过连接筋相互连接，单元框架包括框架本体和设置在框架本体上的多个管脚，框架本体上依次设有芯片、铜片和塑封体，塑封体背对单元框架的侧面上设有开口，铜片背对单元框架的侧面从开口处露出，采用本实用新型的优点是，封装完成后，通过将铜片显露于塑封体外作为散热片，和引线框架共同达到双面散热的效果，不仅增加了散热途径和散热面积，还增强了散热效率，与此同时，减少了封装体内的热流密度，降低了热阻，提高了产品的使用性能，延长了器件的使用寿命。
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