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公开(公告)号：CN222914803U
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202421840010.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型属于半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种顶部散热式MOS的封装结构，包括框架本体，包括并排且依次设置的第一基岛、第二基岛和第三基岛，以及平行设置于对侧的第四基岛，第一基岛、第二基岛和第三基岛分别连接有一个引脚区，第四基岛连接有三个引脚区；芯片组，包括在第一基岛、第二基岛和第三基岛上分别设置的第一芯片、第二芯片和第三芯片，以及在第四基岛上沿其长度方向并排设置的第四芯片、第五芯片和第六芯片；封装层，包覆于框架本体上，并使框架本体背离芯片组的一侧及所有引脚区外露。本实用新型实现了6个MOS芯片合封为一个器件，提高了PCB的空间利用率，且降低了生产成本，并能用于大功率大电流的应用场景。
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