公开(公告)号：CN109095784A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810824004.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  余海丽 ,  张卜生 ,  雷岩 ,  杨晓刚 ,  谷龙艳 ,  赵超亮

IPC: C03C17/28 ,  C03C17/42 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180-250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得铋基非铅钙钛矿Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。本发明可大面积制备Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜，操作简单，制备的Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜结晶性好，结构性能稳定。

公开(公告)号：CN108117274A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711460936.2

申请日：2017-12-28

Applicant: 许昌学院

Inventor： 杨晓刚 ,  王家稷 ,  王珂 ,  朱聪旭 ,  赵红晓 ,  雷岩 ,  黄保军 ,  李品将

IPC: C03C17/25

Abstract: 本发明提供一种液相传输制备α-氧化铁薄膜的方法，包括如下步骤：将草酸或草酸盐与硝酸盐溶于蒸馏水配成混合溶液，调节混合溶液的pH为1-3；将混合溶液倒入高压反应釜的内衬中；向高压反应釜的内衬中加入固态含铁化合物粉末；将清洗过的导电玻璃基片放入高压反应釜内衬的混合溶液中，密封高压反应釜；将高压反应釜置于烘箱中反应后，自然冷却；取出沉积有α-氧化铁薄膜的导电玻璃基片，用蒸馏水冲洗、自然干燥，得到α-氧化铁薄膜。本发明可以避免使用高纯度可溶性铁盐前驱体，方法简便、操作方便，既能用于制备光电薄膜，又能循环利用含铁固体废弃物。

公开(公告)号：CN104934490B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201510173360.6

申请日：2015-04-13

Applicant: 许昌学院

Inventor： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  贾会敏 ,  杨晓刚 ,  杨健康 ,  郑露露 ,  郑直 ,  褚君浩

IPC: H01L31/0296 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明所要解决的问题是：克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。

公开(公告)号：CN105514359A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510901257.9

申请日：2015-12-05

Applicant: 许昌学院

Inventor： 黄保军 ,  何琴 ,  张艳鸽 ,  李大鹏 ,  葛素香 ,  杨晓刚 ,  铁伟伟 ,  郑直 ,  周许梦

IPC: H01M4/1391 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/1391 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明公开了一种滤纸模板法制备Fe-Sn复合氧化物的方法，主要成分为植物纤维素的定量滤纸作为模板，通过简单的浸泡以及后续的煅烧处理，得到具有滤纸形貌的微纳米Fe-Sn复合氧化物，并在通有高纯氩气的手套箱中组装成纽扣电池，得到了较好的测试结果。整个制备过程操作简单易行、条件易于控制、可重复性强、成本低廉，适合工业化生产。另外，该方法具有良好的普适性，可用于其他具有微纳米结构的锡基复合氧化物的制备，具有较强的推广与应用价值。

公开(公告)号：CN104934490A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510173360.6

申请日：2015-04-13

Applicant: 许昌学院

Inventor： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  贾会敏 ,  杨晓刚 ,  杨健康 ,  郑露露 ,  郑直 ,  褚君浩

IPC: H01L31/0296 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明所要解决的问题是：克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。