公开(公告)号：CN104393048A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410658234.5

申请日：2014-11-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  葛安奎 ,  郝跃 ,  边照科 ,  石朋毫 ,  张进成 ,  马晓华 ,  张金风 ,  杨林安 ,  曹艳荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种介质调制复合交叠栅功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、台面(6)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)和保护层(13)，势垒层(3)上淀积有源极(4)与漏极(5)，钝化层(8)内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽靠近源极，凹槽靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，凹槽(10)中完全填充有高介电常数介质(11)，在栅槽内、栅槽与漏极之间的钝化层上部及高介电常数介质上部淀积有交叠栅(12)，高介电常数介质与交叠栅构成复合交叠栅。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。

公开(公告)号：CN102522502B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210005728.4

申请日：2012-01-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  毛伟 ,  何寒冰 ,  郝跃

IPC: H01L47/02

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n+GaN欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN欧姆接触层，其特征在于：电子发射层采用In组份为14％～22％的InAlN材料，厚度为80～200nm；SiC衬底上刻蚀有通孔(1)，衬底的底部淀积有金属Ti/Al/Ni/Au，该金属通过通孔与环形电极(5)相连，形成纵向器件结构。本发明能够消除压电极化效应并显著地降低界面位错以及“死区”长度，具有输出功率和工作频率高的优点，适用于太赫兹频段工作。

公开(公告)号：CN101901757B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010209324.8

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  杨林安 ,  史林玉 ,  王昊 ,  陈珂

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法，主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是：(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层；(4)在所述非极性a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm，温度为600-800℃的无应力AlInN插入层；(5)在所述无应力AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。本发明的a面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作非极性a面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901760A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209567.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  杨林安 ,  王昊 ,  陈珂 ,  曹艳荣 ,  杨传凯

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：CN119092555A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411115683.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  周建华 ,  黄旋 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/864 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法，通过在第二区域的雪崩区的上表面设置肖特基接触电极，在第一区域的远离第二区域的外表面覆盖欧姆接触电极，实现了使用金属层做硬质掩膜进行刻蚀保护，使得用于制作阴极的欧姆接触电极和阳极肖特基接触电极与有源区侧壁平齐，实现了器件刻蚀过程中的自对准；此外，第一钝化层和肖特基接触电极上的场板金属形成场板结构，自对准场板结构可以有效改善靠近阳极金属边缘处的半导体内容易出现的电场集中现象，使得电荷均匀出现在阳极下方，电场分布更加均匀，减小了反向漏电，进而提高了氮化镓IMPATT二极管的击穿电压，使其更加逼近理想的雪崩击穿电压值，最终实现更优的交流振荡特性。

公开(公告)号：CN116936612A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310878246.8

申请日：2023-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  亢昱杰 ,  陈尧 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于双势阱复合沟道的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、复合沟道层、隔离层、delta‑doping平面掺杂层、势垒层；设置在势垒层两端的源极帽层和漏极帽层；设置在所述源极帽层上的源极电极；设置在漏极帽层上的漏极电极；设置在势垒层上的栅极电极；连续的设置在源极电极、源极帽层、势垒层、部分漏极帽层和部分源极电极上的钝化层。本发明利用双电子势阱提高了器件的输出电流，进一步提高了器件的频率特性，又在击穿特性上获得了提升。

公开(公告)号：CN111463565B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010187440.8

申请日：2020-03-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  刘禹辰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q19/30 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波阻抗调谐空气介质八木天线及其制作方法，包括衬底层；衬底层正面以引向器金属支撑柱与衬底层连接的引向器金属层；衬底层正面的开关金属层；衬底层正面以信号线金属支撑柱与衬底层连接的信号线金属层；衬底层正面以正面接地金属支撑柱与衬底层连接的正面接地金属层；衬底层背面的背面接地金属层。本发明实施例，能够在有效降低损耗、提高品质因数的同时，解决阻抗调谐以及工艺稳定性方面的问题，以满足太赫兹天线的性能与阻抗设计要求。

公开(公告)号：CN110564157A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910838653.X

申请日：2019-09-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李杨 ,  杨嘉怡 ,  张东光 ,  杨林安 ,  敖金平

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/08 ,  G01L1/14

Abstract: 本发明公开了一种液体金属聚合物的混合材料及其制备方法，所述制备方法包括：获取一液体金属和一聚合物；将所述液体金属与所述聚合物的预聚物按预定比例混合，形成混合溶液；向所述混合溶液中添加固化剂并搅拌以固化，形成固态的混合材料。该混合材料消除了传统金属聚合物的混合材料中刚性填料与聚合物内部柔度的不匹配问题，保持了基体材料的力学性能，实现了低机械刚度和高介电常数的独特组合。

公开(公告)号：CN109786484A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811558022.4

申请日：2018-12-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  李秀圣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上层；欧姆接触层，位于外延层中间的上层；第一漂移区，位于欧姆接触层中间的上层；第二漂移区，位于第一漂移区上层；雪崩区，位于第二漂移区上层；欧姆接触电极，位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层；第一钝化层，位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层，且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧；第二钝化层，位于第一钝化层上层；肖特基接触电极，位于雪崩区上层和第二钝化层上层。本发明提出的二极管，提高了雪崩区载流子电离率，雪崩效应被限制在雪崩区，减小了雪崩区宽度，改善了功率输出能力。

公开(公告)号：CN106057915B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610643966.6

申请日：2016-08-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  黄金金 ,  于婷 ,  陆芹 ,  郝跃 ,  薛军帅 ,  杨林安 ,  林志宇

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/45 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n+GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN势垒层，InGaN隔离层，n+InGaN发射极欧姆接触层，圆形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，增大峰值电流，提高输出功率；二极管的制作方法中，生长InGaN后没有高温工艺，没有In析出，减小器件漏电。