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公开(公告)号：CN115100458B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210623187.5
申请日：2022-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种图像分类方法以及相关装置，该图像分类方法包括：获取待分类图像；利用图像分类模型对待分类图像进行处理，确定所述待分类图像的类型；其中，在所述图像分类模型进行图像处理的过程中，利用突触权值膜电位增量对图像分类模型的神经元的当前膜电位进行更新，所述突触权值膜电位增量存储在存储器中。其中突触权值膜电位增量直接存储在存储器中，在对神经元的当前膜电位更新时，直接从存储器中读取，不需要额外计算，以此降低计算量。
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公开(公告)号：CN114567337B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210044786.1
申请日：2022-01-14
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的超宽带发射机，包括依次连接的FPGA模块、SERDES发射端、UWB发射模块和天线，其中，FPGA模块用于产生并行超宽带脉冲数据；SERDES发射端用于将并行超宽带脉冲数据转换为串行超宽带脉冲信号；UWB发射模块用于对串行超宽带脉冲信号进行功率放大；天线用于对功率放大后的串行超宽带脉冲信号进行发射；FPGA模块还用于在初始化阶段对所产生的并行超宽带脉冲数据的脉宽和频率进行配置，并对SERDES发射端和UWB发射模块进行电路配置。本发明通过FPGA模块产生超宽带脉冲信号并配置脉冲信号频率和脉冲宽度，随后通过SERDES发射端直接传输脉冲信号至UWB发射芯片，省略了UWB发射芯片片内的脉冲产生电路，节省了发射机芯片的面积和功耗。
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公开(公告)号：CN118034446A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410314653.0
申请日：2024-03-19
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种并联基准电路、芯片和设备，包括依次连接的高阶电流补偿电路、带隙基准核心电路和偏置电路；高阶电流补偿电路，包括电流补偿电路和分压电路；分压电路，用于基于偏置电路输出的基准电压产生多路电压；电流补偿电路，用于根据温度变化以及多路电压，向带隙基准核心电路输送不同的补偿电流，以使带隙基准核心电路和偏置电路基于补偿电流，调节基准电压，能够产生高阶补偿电流，对电路进行高阶补偿，降低温度系数，与此同时，该电路结果具有更强的带负载能力。
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公开(公告)号：CN117875175A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410028873.7
申请日：2024-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种硅转接板电源分配网络S参数和Z参数的预测方法及装置，涉及深度学习和集成电路技术领域，包括：构建待预测的三维硅转接板电源分配网络模型，获取待预测的三维硅转接板电源分配网络模型的几何参数；对待预测的三维硅转接板电源分配网络模型进行离散粗粒度三维采样，得到待预测的材料信息的三维矩阵；预设待预测的S或Z参数频率，将待预测的三维硅转接板电源分配网络模型的几何参数和待预测的S或Z参数频率，以及待预测的材料信息的三维矩阵输入训练好的三维卷积神经网络模型进行处理，得到对应频率的S参数或Z参数幅值。本发明能够实现对硅转接板电源分配网络S参数幅值和Z参数幅值的高精度快速预测，同时具有很强的普适性。
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公开(公告)号：CN115047931B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210580503.5
申请日：2022-05-26
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高电源噪声抑制的数字LDO电路，包括分压模块、噪声放大模块、电流补偿模块和功率管模块；分压模块由M3、M4、M5和M6组成，噪声放大模块由电阻R1、R2、RM和误差放大器EA组成，电流补偿模块由PMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2和N个并联的电流补偿单元组成，功率管模块由负载电流源ILOAD、负载电容CL和N个并联的数字功率晶体管MP[i]组成。本发明提出的高电源噪声抑制的数字LDO电路，在输入电压VIN发生波动时，利用放大一定比例的噪声电压，来转化成补偿电流给到电路的输出端，达到稳定输出电压VOUT的效果。同时，补偿电流的大小随数字功率晶体管导通数目而改变，轻载和重载条件下都具有良好的补偿效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117792305A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311863246.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基工艺的高对称性W波段功率放大器电路，包括：输入匹配电路、驱动级电路、级间匹配电路、输出级电路和输出匹配电路。功率放大器电路采用差分结构，驱动级电路采用晶体管堆叠结构的连接方法，通过采用对称性的布局方式，使每个晶体管的工作状态相同；输出级电路将接收到的信号进行放大并输出；输出级电路的电路结构与驱动级电路的电路结构相同。本发明通过采用差分结构和晶体管堆叠结构，提高电路的输出功率，采用高对称性的布局方式，使得驱动级电路中每个晶体管的工作状态相同，将功率流平均分配到每一个晶体管，从而提高了电路的输出功率、增益以及功率附加效率；利用匹配电感之间的虚地特性减小了电路的版图面积。
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公开(公告)号：CN117709293A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311716372.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: G06F30/398 , G06F117/12
Abstract: 本发明提供了一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法，将层间介质层中所有热流方向均视为向下平行传递；水平方向上对模型各层进行了区域划分，各区域仅接收并传递全局互连线向水平面的投影与该区域向水平面投影能够重合的这一部分全局互连线产生的热量；热流在经过互连线时所产生的温升被忽略掉。然后计算出各互连层每个区域的温升后，按照其横向几何尺寸占比将温升进行加权，得到最终仅需几何尺寸和热源功耗即可快速地近似计算任意两层互连层之间温升的方法。因此本发明可以降低计算互连层之间温升的难度和成本，并保证了计算准确率。
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公开(公告)号：CN117572750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410005045.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明公开了一种差分对称型并行比较的时间数字转换器，包括：单端转差分模块一、延迟锁相环、单端转差分模块二、差分压控延时链模块一、差分压控延时链模块二、时间比较器阵列和编码器；其中的延迟锁相环采用差分压控延时单元提高了对电源噪声的抑制能力，加快了锁定时间，动态控制延时链偏置电压Vc，使得时间数字转换器具有较好的鲁棒性。本发明通过延迟锁相环采用差分压控延时单元提高了对电源噪声的抑制能力，加快了锁定时间，动态控制延时链偏置电压Vc，使得时间数字转换器具有较好的鲁棒性；设计了一种新型并行比较排列方式，为后续版图设计和布局提供便利，实现拓扑结构对称、走线长度相同的版图布局，以提高时间数字转换器的线性度。
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公开(公告)号：CN117497983A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311369203.3
申请日：2023-10-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；硅基板中设有TSV结构，上金属层和金属底板通过TSV结构实现上下连接，形成扇形基片集成波导结构；扇形基片集成波导结构具有m个扇形金属谐振腔；m个扇形金属谐振腔是利用至少一条耦合槽线将扇形基片集成波导结构进行分割得到的；耦合槽线用以实现相邻扇形金属谐振腔间的耦合；其中，m表示滤波器阶数，m≥2，n＝360°/θ，θ为扇形金属谐振腔的圆心角。该结构实现了宽通带和双通带特性的无源器件，在不降低器件性能的同时降低了其面积。
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公开(公告)号：CN117353746A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311191059.9
申请日：2023-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于噪声随机码复用的高精度多级分段数模转换器，包括：多级分段电容阵列、切换开关、DEM模块和逐次逼近寄存器；其中，预先将高h位电容拆分为m个温度计码电容，同时将上一周期受噪声影响而产生的k位等权重LSB位数字码作为DEM模块的控制信号，DEM模块根据控制信号，对生成的m个温度计码进行随机化排列，降低了失配的影响，提高了线性度，复用了噪声随机码。本设计在实现了低位重复位以降低噪声、DEM随机化解决失配问题的同时，节省了伪随机码产生器，降低了面积开销，提高了高精度多级分段数模转换器的整体性能。
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