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公开(公告)号：CN114864388A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210422245.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/265 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于外延生长工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法，该方法包括：提供N++衬底；在衬底的一侧表面生长第一N‑外延层；在第一N‑外延层的上表面生长外延结构，外延结构包括至少一层第二N‑外延层和至少一层N+掺杂区，第二N‑外延层包括下部N‑外延层和上部N‑外延层，N+掺杂区包括下部N+掺杂区和上部N+掺杂区，下部N‑外延层包括多个第一P+浮结，下部N+掺杂区包括多个第二P+浮结；在外延结构的上表面生长第三N‑外延层；在第三N‑外延层的上表面制作第一电极，并在衬底下表面制作第二电极。由于N+掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度，因此电导率高、对载流子阻挡能力低，减小了P型结构之间的JFET区域电阻，提升整个功率器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN114843364A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210429085.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种β‑氧化镓/4H‑碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法，探测器包括：由下至上依次设置的N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3功能层。所述β‑Ga2O3功能层上设置有第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层和所述第二金属电极层上均设置有第三金属电极层；所述第一金属电极层与所述第一金属电极层上的第三金属电极层形成欧姆接触，所述第二金属电极层与所述第二金属电极层上的第三金属电极层形成肖特基接触。本发明的紫外光电探测器通过β‑Ga2O3/4H‑SiC异质结结构既能够实现高温探测功能，又能够具有较高的响应度。同时，第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极极大地提升了光利用率，大幅增加了探测器的探测性能。
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公开(公告)号：CN113725581B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110815688.9
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于嵌套U型缺陷地结构的微带线功分器，由下至上包括：设置有一组嵌套U型缺陷地结构的接地金属层、介质基板和预先设计的不等分Wilkinson功分器；不等分Wilkinson功分器包括顺次连接的第一微带传输线、并联分支结构以及隔离电阻；并联分支结构的一个分支包括顺次连接的第二微带传输线、第三微带传输线和第四微带传输线；另一个分支包括顺次连接的第五微带传输线、第六微带传输线和第七微带传输线；隔离电阻的一端连接于第三微带传输线和第四微带传输线之间，另一端连接于第六微带传输线和第七微带传输线之间；嵌套U型缺陷地结构设置于第三微带传输线下的接地金属层上。本发明能实现高功分比且体积较小。
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公开(公告)号：CN114727206A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210153476.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风结构及其制备方法，包括：麦克风本体；麦克风本体上设有第一电极通孔、第一电极安装槽、第二电极通孔和第二电极安装槽；第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有二氧化硅连接层；二氧化硅连接层表面平滑且为背向侧壁凸起的弧面。本发明的麦克风结构及其制备方法通过在第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有表面平滑的二氧化硅连接层，金属电极与二氧化硅连接层的接触面较为平滑，金属电极覆盖性较佳，避免金属电极连接发生断裂造成的器件失效，提升了器件制造良率。
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公开(公告)号：CN111627864B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010496801.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安卫光科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/52 , H01L25/07 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，管壳的内腔为三腔室结构，每个腔室内对应设置有管芯，腔室的底部设置有底板，管壳的两端分别设置有引线，一端的引线依次连接三个腔室内的管芯后与另一端的引线连接，三只管芯与底板烧结后经压焊工艺将三只管芯串联形成硅堆，管壳的上方设置有盖板，盖板与内腔之间填充有硅凝胶，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。本发明硅堆外壳结构减小了体积，提高了工作结温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122125A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111315935.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种混合栅控结构的碳化硅晶闸管及其制备方法，包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于衬底上表面的N型4H‑SiC缓冲层、P型4H‑SiC漂移层和N型4H‑SiC门极区；阳极区设置于V型凹槽两侧的门极区上；SiO2栅氧化层、第一Al接触层依次设置于V型凹槽内；第一SiO2钝化层设置于门极区两端；N型4H‑SiC JFET关断栅沟道区设置于门极区上；JFET栅电极设置于第一SiO2钝化层上；N型4H‑SiC短路区设置于JFET关断栅沟道区上，且嵌入阳极区；第一欧姆接触层设置于短路区、阳极区上；第二SiO2钝化层设置于第一SiO2钝化层、短路区、阳极区上，以及SiO2栅氧化层、第一Al接触层的两端上；第二欧姆接触层设置于衬底下表面；第二Al接触层设置于第二欧姆接触层下表面。本发明提高了器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN113947008A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111007779.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/39 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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公开(公告)号：CN113946991A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111007778.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F30/39 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对GRNN神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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公开(公告)号：CN113725581A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110815688.9
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于嵌套U型缺陷地结构的微带线功分器，由下至上包括：设置有一组嵌套U型缺陷地结构的接地金属层、介质基板和预先设计的不等分Wilkinson功分器；不等分Wilkinson功分器包括顺次连接的第一微带传输线、并联分支结构以及隔离电阻；并联分支结构的一个分支包括顺次连接的第二微带传输线、第三微带传输线和第四微带传输线；另一个分支包括顺次连接的第五微带传输线、第六微带传输线和第七微带传输线；隔离电阻的一端连接于第三微带传输线和第四微带传输线之间，另一端连接于第六微带传输线和第七微带传输线之间；嵌套U型缺陷地结构设置于第三微带传输线下的接地金属层上。本发明能实现高功分比且体积较小。
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公开(公告)号：CN112566230B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011282046.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功率分配的无线携能接收机资源分配方法，包括：获得无线携能通信系统的传播损耗；设定用于能量收集的功率分配因子，并获得所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系；通过所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系衡量系统性能，确定所述功率分配因子的取值。该方法通过选择合理的功率分配因子，将接收机接收的信号按照一定比例分别分配给能量接收机和信息接收机，用以进行能量收集和信息解调，既可以考虑到能量，又可以考虑到速率，达到两者之间的权衡。
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