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公开(公告)号：CN118176592A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280073195.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 中野佑纪
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置包括：具有主面的芯片；配置在上述主面之上的主面电极；以及具有包覆上述主面电极的导体层以及在剖视时在厚度方向上贯通上述导体层的间隙部，且固定为与上述主面电极同电位的端子电极。
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公开(公告)号：CN118176589A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280072909.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 中野佑纪
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置包括：具有主面的芯片；配置在上述主面上的主面电极；配置在上述主面电极上的端子电极；以使上述端子电极的一部分露出的方式在上述主面上覆盖上述端子电极的周围的封固绝缘体；以及覆盖上述端子电极的端子膜。
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公开(公告)号：CN118160100A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280073021.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 中野佑纪
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置(1A)包括：具有主面(3)的芯片(2)；形成于上述主面的凹槽部(22)；以及包覆上述主面且具有位于上述凹槽部内的锚固部(74)的封固绝缘体(71)。
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公开(公告)号：CN116013974A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310046900.9
申请日：2013-04-22
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 公开了一种半导体装置，其包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2、)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9、)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115699332A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040234.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；沟槽构造，其以从上述连接面露出的方式形成于上述第一面；以及侧壁配线，其以包覆上述连接面的方式形成于上述第二面之上，且与上述沟槽构造电连接。
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公开(公告)号：CN115552635A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032820.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置包括具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面的半导体层、包含覆盖所述第一主面的第一电极以及具有比所述第一电极高的硬度且覆盖所述第一电极的第二电极的第一主面电极、以及覆盖所述第一主面电极的氧化层。
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公开(公告)号：CN115516643A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032793.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 中野佑纪
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有主面；主面电极，其配置在所述主面上；绝缘膜，其以使所述主面电极的一部分露出的方式将所述主面电极局部被覆；模塑层，其以使所述主面电极露出的方式将所述绝缘膜被覆；以及焊垫电极，其以与所述主面电极电连接的方式配置在所述主面电极上。
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公开(公告)号：CN114430861A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202080066090.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L23/29 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/16
Abstract: 半导体装置包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。
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公开(公告)号：CN113299755A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110489242.1
申请日：2016-02-08
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 中野佑纪
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。
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