研磨加工工具以及构件的加工方法

    公开(公告)号:CN105451938A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201480044902.3

    申请日:2014-08-06

    CPC classification number: B24B37/20 B24B9/065 B24B37/11

    Abstract: 本发明涉及一种具有特定的形状的被研磨加工物的研磨加工方法,特别是涉及一种为了高效且均匀地研磨加工被研磨加工物的曲面而使用了以包括具有与该曲面形状相对应的形状的研磨面的研磨垫为特征的研磨加工工具的研磨加工方法。本发明的研磨加工工具的特征在于,包括具有与所述曲面相对应的形状的研磨面的研磨垫以与被研磨加工物的曲面均匀地接触。优选的是,研磨垫的硬度以肖氏A硬度计为5以上,表面材质包括织物、无纺布、无纺布的树脂加工品、合成皮革、合成树脂发泡体、这些材质的复合品中的至少一种。另外,本发明的加工方法的特征在于,使用具有与所述曲面相对应的形状的研磨面的研磨加工工具以与被研磨加工物的曲面均匀地接触,从而加工被研磨加工物的曲面。

    抛光组合物及利用该组合物的抛光方法

    公开(公告)号:CN102190962B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201110066004.6

    申请日:2011-03-08

    CPC classification number: C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/02024

    Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,其至少包含磨粒和水,并且用于对由光学器件的基板材料、电源器件的基板材料、或者化合物半导体材料所构成的被抛光物体进行抛光。所述磨粒具有满足关系X×Y≤0的ζ电位,其中X[mV]代表在抛光组合物中所测量的磨粒的ζ电位,Y[mV]代表在利用抛光组合物进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位。所述磨粒优选为氧化铝、氧化硅、氧化锆、金刚石、或者碳化硅。被抛光物优选为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、砷化镓、砷化铟、或者磷化铟。

    抛光组合物及利用该组合物的抛光方法

    公开(公告)号:CN102190962A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110066004.6

    申请日:2011-03-08

    CPC classification number: C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/02024

    Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,其至少包含磨粒和水,并且用于对由光学器件的基板材料、电源器件的基板材料、或者化合物半导体材料所构成的被抛光物体进行抛光。所述磨粒具有满足关系X×Y≤0的ζ电位,其中X[mV]代表在抛光组合物中所测量的磨粒的ζ电位,Y[mV]代表在利用抛光组合物进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位。所述磨粒优选为氧化铝、氧化硅、氧化锆、金刚石、或者碳化硅。被抛光物优选为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、砷化镓、砷化铟、或者磷化铟。

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