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公开(公告)号:CN105829097A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201480068374.5
申请日:2014-12-04
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 本发明提供具备色彩和金属光泽的新型构成的带有金属氧化物膜的物品。此处公开的带有金属氧化物膜的物品的特征在于,其具备:由金属材料形成的基材、和覆盖该基材的表面的由金属氧化物形成的金属氧化物膜,前述金属氧化物膜通过使用由前述金属氧化物形成的颗粒对前述基材的表面进行研磨而形成。
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公开(公告)号:CN105451938A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201480044902.3
申请日:2014-08-06
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: B24B9/00 , B24B37/11 , B24D13/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种具有特定的形状的被研磨加工物的研磨加工方法,特别是涉及一种为了高效且均匀地研磨加工被研磨加工物的曲面而使用了以包括具有与该曲面形状相对应的形状的研磨面的研磨垫为特征的研磨加工工具的研磨加工方法。本发明的研磨加工工具的特征在于,包括具有与所述曲面相对应的形状的研磨面的研磨垫以与被研磨加工物的曲面均匀地接触。优选的是,研磨垫的硬度以肖氏A硬度计为5以上,表面材质包括织物、无纺布、无纺布的树脂加工品、合成皮革、合成树脂发泡体、这些材质的复合品中的至少一种。另外,本发明的加工方法的特征在于,使用具有与所述曲面相对应的形状的研磨面的研磨加工工具以与被研磨加工物的曲面均匀地接触,从而加工被研磨加工物的曲面。
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公开(公告)号:CN102190962B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201110066004.6
申请日:2011-03-08
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,其至少包含磨粒和水,并且用于对由光学器件的基板材料、电源器件的基板材料、或者化合物半导体材料所构成的被抛光物体进行抛光。所述磨粒具有满足关系X×Y≤0的ζ电位,其中X[mV]代表在抛光组合物中所测量的磨粒的ζ电位,Y[mV]代表在利用抛光组合物进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位。所述磨粒优选为氧化铝、氧化硅、氧化锆、金刚石、或者碳化硅。被抛光物优选为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、砷化镓、砷化铟、或者磷化铟。
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公开(公告)号:CN104471016A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380037667.2
申请日:2013-07-16
Applicant: 福吉米株式会社
CPC classification number: C09K3/1436 , B24B37/00 , C09K3/1409 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种用于研磨合金材料的用途的合金材料研磨用组合物。合金材料含有:主成分的第1金属种、以及与前述第1金属种不同种类且具有比前述第1金属种的标准电极电位高的标准电极电位的第2金属种。合金材料研磨用组合物含有与碳键合的官能团能捕捉前述第2金属种的化合物。
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公开(公告)号:CN103415372A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201280009634.2
申请日:2012-02-20
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供至少含有氧化铝磨粒和水,且具有8.5以上的pH的研磨用组合物。氧化铝磨粒具有20m2/g以下的比表面积。氧化铝磨粒优选具有0.1μm以上且20μm以下的平均二次粒径。研磨用组合物在研磨维氏硬度为1500Hv以上的硬脆材料、例如蓝宝石、碳化硅或氮化镓的用途中使用。
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公开(公告)号:CN102190962A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110066004.6
申请日:2011-03-08
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/00 , B24B29/00
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,其至少包含磨粒和水,并且用于对由光学器件的基板材料、电源器件的基板材料、或者化合物半导体材料所构成的被抛光物体进行抛光。所述磨粒具有满足关系X×Y≤0的ζ电位,其中X[mV]代表在抛光组合物中所测量的磨粒的ζ电位,Y[mV]代表在利用抛光组合物进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位。所述磨粒优选为氧化铝、氧化硅、氧化锆、金刚石、或者碳化硅。被抛光物优选为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、砷化镓、砷化铟、或者磷化铟。
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