公开(公告)号：CN114497219A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110244191.6

申请日：2021-03-05

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及半导体装置，示例性的半导体装置可以包括：基板；N‑外延层，位于基板上；第一P区域和第二P区域，彼此分开定位在N‑外延层上；第一N+区域，位于第一P区域内；第二N+区域，位于第二P区域内；以及栅极层，位于第一P区域与第二P区域之间。

公开(公告)号：CN107958936B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201710119656.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

公开(公告)号：CN113871452A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111138971.9

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN108615758A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710622691.2

申请日：2017-07-27

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n-型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n-型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n-型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。

公开(公告)号：CN103904131B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310757047.8

申请日：2013-12-12

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n‑型外延层；设置在n‑型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n‑型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n‑型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n‑型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。

公开(公告)号：CN103872130B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201310438998.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n‑型外延层；布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。

公开(公告)号：CN107579121A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611149881.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n-型层；设置在n-型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n-型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n-型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。

公开(公告)号：CN106876390A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610561758.1

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L29/7805 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L27/0635 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。

公开(公告)号：CN103915511A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310542137.5

申请日：2013-11-05

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  李钟锡 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管，其包括：n+型碳化硅衬底；布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层，其包括电极区以及位于电极区的外部的端接区；布置在端接区中的n-型外延层上的第一沟槽和第二沟槽；布置在第一沟槽和第二沟槽的下方的p区；布置在电极区中的n-型外延层上的肖特基电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一沟槽和第二沟槽位置相邻以形成台阶。

公开(公告)号：CN103872147A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310661032.1

申请日：2013-12-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  李钟锡 ,  洪坰国 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括n-型外延层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面，多个n型支柱区域，设置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n-型外延层中，多个p+区域，设置在n-型外延层的表面且与n型支柱区域分离，肖特基电极，设置在n-型外延层和p+区域上，以及欧姆电极，设置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱区域的掺杂密度大于n-型外延层的掺杂密度。