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公开(公告)号：CN109183124B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201811274688.7
申请日：2018-10-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法，所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0‑3.0eV。制备方法如下：（1）以惰性电极为阴极，以抛光后的锆片为阳极，在含氟的电解液中进行阳极氧化，制得氧化锆纳米管薄膜；（2）将所述氧化锆纳米管薄膜清洗后，干燥，再在保护或真空气氛、500‑800℃的条件下进行热处理，得到窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜。本发明首次获得了一类禁带宽度很窄的外观为黑色的氧化锆纳米管薄膜，其可以在较低温度通过较为简便的方法制备，成本较低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN107841716A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711104256.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种纳米多层膜及其制备方法，该制备方法采用真空溅射技术，溅射仪内设有样品台和溅射靶，至少两个溅射靶同时向同一样品台共同溅射沉积，其中，至少一个溅射靶的靶材为扩散元素，至少一个溅射靶的靶材为扩散阻挡元素或扩散阻挡化合物；当共同溅射沉积时，样品台自转。共沉积制备纳米多层膜时，两个或多个靶都是同时聚焦于同一样品台上，无需进行不同样品台间的切换即可制得多层膜。该方法效率高，成本较低。共沉积得到的是固溶体纳米多层膜，并非不同晶体结构的纯Cu和纯W膜机械的叠加，而是界面呈半共格或者共格关系，界面浸润，有利于提高薄膜的塑韧性及稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103753995A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410009367.X
申请日：2014-01-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种基于彩色喷墨打印制备渐变折射率增透膜的方法，包括如下步骤：通过配制性能稳定的含有SiO2或通过热处理能转变为SiO2的墨水和含有TiO2颗粒或通过热处理能转变为TiO2颗粒的墨水，所述墨水粘度为20-60mpa.s；将两种墨水分别注入到不同颜色的墨盒A和墨盒B中，利用平板彩色喷墨打印机，通过这两种颜色间渐变色在打印颜色的调控来实现对每层沉积薄膜中SiO2和TiO2含量的控制；使多层打印中层与层间，墨盒A中颜料含量持续递减，墨盒B中颜料含量持续递增，从而通过多层打印在透明载体上沉积出沿厚度方向上钛元素或硅元素成分梯度变化的薄膜；将所沉积的薄膜经300-600℃热处理，形成具有成分渐变的功能薄膜，从而获得具有渐变折射率的薄膜。
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公开(公告)号：CN101846756A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010183316.0
申请日：2010-05-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种用于玻璃表面增透的MgF2/氧化物复合膜，为MgF2/Al2O3或MgF2/SiO2双层膜结构；它在MgF2膜层与玻璃基底之间插入一层Al2O3或SiO2缓冲层，可在提高膜系增透效果的前提下，利用Al2O3和SiO2层与玻璃表面良好的浸润性，增强膜层与基底之间的附着力，改善MgF2膜层的牢固度，同时发挥Al2O3和SiO2镀层质地坚硬的性能优势，提高整个膜系的抗划擦性，增强其机械性能，满足恶劣工作环境下器件对光伏玻璃表面增透膜的综合性能要求。
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公开(公告)号：CN101824592A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010183319.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar+离子束溅射沉积Al膜的同时，用20～35keV/2～8mA的中能N+离子束对Al膜进行辅助轰击；然后，采用磁控溅射沉积AlN薄膜：本底真空≤5×10-4Pa，工作气压0.5～10Pa，衬底温度为200℃～500℃。预沉积同质过渡层可有效减小薄膜与衬底间内应力，形成完全(002)取向的AlN薄膜，并降低薄膜的表面粗糙度，增加薄膜与衬底间的结合强度，使所得薄膜产品能满足在声表面波器件、体波器件以及其他微电子器件和功率器件中的应用。
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公开(公告)号：CN101764121A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010022034.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种层间绝缘叠层复合材料及制备方法，该材料在超薄氮化铝陶瓷基板(1)的两表面分别有薄膜金属粘结过渡层(2)，在过渡层(2)上有采用热压工艺覆盖的铜层(3)；所述薄膜金属粘结过渡层为Ti/Ni双膜层，其中与基板(1)直接接触的底层是厚度为100nm～200nm的Ti层(4)，上层是厚度为300nm～600nm的确Ni层(5)。产品具有层间绝缘和更高的导热性能等优点，可简化封装结构、提高封装体散热能力，并有利于器件小型化，使用方便，无须特殊处理可以直接使用；本发明材料主要可用作功率器件以及混合电路的基板和热沉，在电子、高速列车、混合电力汽车、大功率LED等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN201352192Y
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200820159479.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
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