抛光头
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103659548A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310657018.4

    申请日:2013-12-06

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 路新春 郭垒 沈攀

    CPC classification number: B24B41/06

    Abstract: 本发明公开了一种抛光头。所述抛光头包括:基座组件,所述基座组件的周面上设有刻度线组;和保持环组件,所述保持环组件螺纹配合在所述基座组件上,所述保持环组件的周面上设有与所述刻度线组配合的指示线。根据本发明实施例的抛光头具有避免掉片、抛光效果好等优点。

    一种化学机械抛光传输机器人系统

    公开(公告)号:CN102581745A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210050639.1

    申请日:2012-02-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光传输机器人系统,包括:执行机构包括机器人本体和支撑装置,机器人本体包括爪、手爪翻转机构、小臂体、大臂体和套筒,支撑装置包括:直线导轨滑台和导轨丝杠;检测器用于检测执行机构的工作状态参数以生成检测信息;控制装置用于控制手爪的运动位移和运动角度,包括:上位控制器、主控制器、运动控制器、伺服驱动器、电机和编码器,上位机控制器用于接收用户输入的操作指令;编码器用于检测相应的电机的状态信息;主控制器用于生成执行机构的运动指令,运动控制器用于按照预设控制算法计算电机控制量;伺服驱动器用于计算相应电机的控制转矩;电机用于在相应的控制转矩的控制下驱动执行机构运动。

    晶圆在位检测装置以及晶圆在位检测方法

    公开(公告)号:CN102496587A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110382233.9

    申请日:2011-11-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆在位检测装置以及晶圆在位检测方法。所述晶圆在位检测装置包括:真空产生器;多个检测气孔,每个所述检测气孔均通过管路与所述真空产生器相连,其中所述多个检测气孔并联;第一过滤器,所述第一过滤器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间;真空压力检测器,所述真空压力检测器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间以便检测所述管路中的压力;和控制器,所述控制器与所述真空压力检测器相连以便根据所述真空压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明实施例的晶圆在位检测装置可以精确地判断出晶圆是否在位。

    一种硅片边缘膜厚测量方法

    公开(公告)号:CN102049732B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010266786.3

    申请日:2010-08-30

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: G01B7/06 B24B37/013 B24B49/105 G01B7/105 G06F17/10

    Abstract: 一种硅片边缘膜厚测量方法属于化学机械抛光膜厚测量技术领域。通过本发明中的数学模型可以对边缘膜厚测量曲线进行修正,使其尽可能与真实边缘膜厚曲线一致,使用本发明后测量得到的边缘膜厚值可作为真实边缘膜厚值。本发明解决了电涡流测量硅片膜厚存在的所测边缘膜厚失真的问题,优点在于不用改变硬件设施,只需对数学模型进行修改;使用时,仅需进行简单的离线标定,不会影响化学机械抛光的产量。

    一种化学机械抛光方法
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102248477A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110205780.X

    申请日:2011-07-21

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法,所述化学机械抛光方法包括:利用抛光头夹持晶圆以在抛光盘上对所述晶圆进行化学机械抛光,其中在所述化学机械抛光过程中,所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移,所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径。根据本发明实施例的化学机械抛光方法,在所述化学机械抛光过程中,所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移,所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径,由此可以充分使用整个抛光盘的表面,可以提高了抛光垫的利用率,可以减轻抛光垫沿径向的中间部分的过度磨损,从而可以延长抛光垫的使用寿命。

    化学机械抛光方法
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102229105A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN201110178449.3

    申请日:2011-06-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法,所述化学机械抛光方法包括:A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光;B)在所述步骤A)开始之前、之后或同时利用修整器对所述抛光垫进行修整,其中所述修整至少持续至所述化学机械抛光结束。根据本发明实施例的化学机械抛光方法可以大大地提高晶圆表面抛光厚度的均匀性。

    一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置

    公开(公告)号:CN102049730A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010623316.8

    申请日:2010-12-29

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: B24B37/345 H01L21/68742

    Abstract: 本发明为一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置,属于化学机械抛光设备技术领域,包括一举升架,举升架上部通过中空腔体与举升架下部贯通连接,举升架下部上安装有控制举升架升降的第一气缸和直线轴承,导向轴穿过直线轴承,举升架上部通过弹簧连接盆状的对位环,对位环上安装有控制晶圆托架升降的第二气缸,第二气缸的气缸杆穿过对位环连接到晶圆托架的底部,晶圆托架、第二气缸和对位环轴线重合并且与直线轴承的轴线平行,在抛光过程中,本发明既能与外围机械手配合,完成晶圆送出及取入,又能与抛光头配合,完成晶圆的装载与卸载,在整个装、卸、取、送晶圆的过程中,能够完成晶圆的精确定位,并保证晶圆不被损坏。

    一种抛光垫修整头
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101972988A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010217013.6

    申请日:2010-06-28

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: B24B53/017

    Abstract: 本发明涉及化学机械抛光设备技术领域,特别涉及一种抛光垫修整头。主轴通过两组轴承轴向定位,避免主轴的轴向串动,轴承通过轴承端盖和套筒安装固定在轴承座内;轴承座及轴承端盖设有连通的气孔,并在轴承端盖的气孔上安装快换接头;主轴与轴承座之间的密封,包括迷宫密封和气封;主轴的顶部通过螺钉与同步带固定连接,主轴的底端通过螺钉与法兰及压片固定连接;保护盖、压盘、自适应盘和金刚石盘四者之间通过螺钉连接成一体,将法兰及压片包覆固定;法兰与压盘之间以及法兰与保护盖之间分别通过压紧柔性环连接。本发明结构简单紧凑美观,易于加工制造及装配,运动平稳可靠,具有很高的实用性,可广泛用于抛光设备中。

    晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法

    公开(公告)号:CN107546145B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201710712141.X

    申请日:2017-08-18

    Inventor: 沈攀 路新春

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法,晶圆在位检测装置包括压力介质源、多个检测孔、压力检测器、流量控制器、压力控制器和控制器,压力介质源用于提供具有预定压力的介质;每个检测孔均通过管路与压力介质源相连;压力检测器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便检测管路中的压力;流量控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的流量;压力控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的压力;控制器与压力检测器相连以便根据压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明的晶圆在位检测装置具有分辨率高、稳定性高等优点。

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