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公开(公告)号：CN103186058A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310048778.5
申请日：2013-02-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有六自由度粗动台的掩膜台系统，主要用于光刻机系统中。该系统包括粗动台、精动台和机架；粗动台含有一个粗动台台体、驱动装置和粗动台重力平衡组件，粗动台台体设置在精动台的外部，将精动台包围在中间；驱动装置包括两组关于X轴方向对称布置的X方向直线电机和四组同时驱动Y方向和Z方向的两自由度直线电机，实现粗动台的六自由度运动。六自由度粗动台与六自由度精动台配合，在调整掩模台姿态的同时既提高了掩模台的速度、加速度和控制带宽，又满足了高运动精度和定位精度的要求，进而提高了光刻机的生产率、套刻精度和分辨率。
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公开(公告)号：CN103116250A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310048743.1
申请日：2013-02-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 带激光干涉仪测量的具有六自由度粗动台的掩膜台系统，主要用于光刻机系统中。该系统包括粗动台、精动台和机架；粗动台含有一个粗动台台体、驱动装置和粗动台重力平衡组件，粗动台台体设置在精动台的外部，将精动台包围在中间；该掩膜台系统还包含用于测量精动台台体和测量架之间位置反馈激光干涉仪测量组件，所述的激光干涉仪测量组件由激光光源、光路组件、激光干涉仪和测量架组成，可对该掩膜台系统的运动部分进行实时的六自由度的测量。该掩膜台系统具有结构简单、紧凑，运动部分质量轻从而减小了负载，提高了速度，加速度和控制带宽，配合激光干涉仪测量系统，大大提高了掩膜台系统的运动的精度。
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公开(公告)号：CN103105742A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310048284.7
申请日：2013-02-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 带光电位置探测器测量的六自由度粗动台的掩膜台系统，粗动台含有一个粗动台台体、驱动装置和粗动台重力平衡组件，粗动台台体设置在精动台的外部，将精动台包围在中间，实现粗动台的六自由度运动；该掩膜台系统还含有PSD传感器测量系统，该测量系统可测量精动台与粗动台之间相对位置以及测量粗动台与基座之间的相对位置。本发明在调整掩模台姿态的同时既提高了掩模台的速度、加速度和控制带宽，又满足了高运动精度和定位精度的要求，进而提高了光刻机的生产率、套刻精度和分辨率，并且测量精度和测量速度也很高，可适应掩模台的高响应速度、高加速度和高运动定位精度。
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公开(公告)号：CN112786678A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089310.4
申请日：2019-11-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 一种半导体结构，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，且该n型半导体层和p型半导体层层叠设置并在垂直于所述半导体层的方向上形成一p‑n结。本发明还提供一种采用上述半导体结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN110098099B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810080253.2
申请日：2018-01-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法。所述透射电镜微栅包括一多孔氮化硅基底和一设置于多孔氮化硅基底表面的石墨烯层，所述多孔氮化硅基底具有多个通孔，所述石墨烯层覆盖所述多孔氮化硅基底的多个通孔并在所述多个通孔的位置悬空。所述透射电镜微栅的制备方法为利用一碳纳米管膜结构将一石墨烯层转移至一多孔氮化硅基底的表面，然后去除所述碳纳米管膜结构，从而得到一透射电镜微栅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933134B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710375328.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L27/092
Abstract: 一半导体器件，该半导体器件包括：一栅极及一绝缘层，所述绝缘层设置于栅极的表面；一第一碳纳米管及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面；一P型半导体层及一N型半导体层，所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管，并设置于绝缘层的表面，所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管，并设置于绝缘层的表面；一导电膜，所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面，其中，P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间，N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间。
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公开(公告)号：CN108933182B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710374706.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/105
Abstract: 一种光探测器，其包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，所述半导体元件、第一电极、第二电极、电流探测元件相互电连接形成一回路结构，该半导体元件包括：一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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公开(公告)号：CN108933172A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710375322.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/43 , B82Y30/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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公开(公告)号：CN108735818A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710240264.8
申请日：2017-04-13
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/0262 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。
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公开(公告)号：CN108735602A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239930.6
申请日：2017-04-13
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/0673 , H01L29/1033
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。
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