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公开(公告)号：CN113345972B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110302121.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光电薄膜及其制备方法，特别是一种分层多晶硒化铅薄膜及其制备方法。制备方法主要包括：(1)在衬底上用化学浴法制备致密硒化铅层；(2)在致密硒化铅层上用化学浴法制备疏松含氧碱式碳酸铅层；(3)将附有致密硒化铅层和含氧碱式碳酸铅层的样品置于含硒离子溶液中通过离子交换反应，最终形成分层多晶硒化铅薄膜。该制备方法工艺简便、成本低，可控性好，利用该方法制备的硒化铅薄膜由下层致密的多晶立方硒化铅层和上层疏松的多晶立方硒化铅层构成，可广泛应用于制造红外传感器、太阳能电池、激光发射、热电转化器等光电转换或者热电转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN117219515A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311031158.0
申请日：2023-08-15
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明属于电子封装材料领域，涉及一种Si3N4陶瓷覆银板及其制备方法。制备方法包括：(1)对Si3N4陶瓷基板和Ag片预处理；(2)配制有机溶剂；(3)制备Ni金属浆料；(4)在Si3N4陶瓷基板表面印刷Ni层；(5)烧结Ni金属化；(6)Ni金属化的Si3N4陶瓷基板覆Ag烧结。该制备方法工艺简便，成本低，通过丝网印刷和烧结工艺在Si3N4陶瓷表面制备多孔的Ni金属层，其作用当Ag达到其熔点，Ag熔体在多孔Ni表面进行铺展，无需压力，使其成功附着在Si3N4陶瓷表面，可制备Si3N4陶瓷覆Ag板。特别是，通过设计印刷图案型的Ni层，可制备图案化的陶瓷覆Ag基板。
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公开(公告)号：CN115626825A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211404900.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝/镧系钙钛矿陶瓷复合光吸收体及其制备方法。制备方法的步骤包括:(1)固相法合成宽光谱高吸收的镧系钙钛矿陶瓷粉体；(2)制备孔隙梯度七层结构镧系钙钛矿陶瓷基片；(3)镀制致密Al2O3膜；(4)在空气炉中热处理。其中镧系钙钛矿陶瓷基片表层致密、从外到内孔隙梯度分布，膜基结构界面存在过渡层。该制备方法工艺简便、成本低，利用该方法制备的光吸收体在0.3～14μm波段范围内具有高的吸收率，且耐高温、抗热震，有高的激光损伤阈值，可广泛应用于激光能量计、激光功率计等高温光热转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN115241364A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210876237.0
申请日：2022-07-25
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于半导体器件制备领域，特别是涉及一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法。本发明采用具有四边固支基板的悬膜结构，在悬膜与支撑基板之间引入绝缘隔热材料，降低探测器的热导，提升探测率。同时，在绝缘隔热材料上制备了通孔，通过在通孔中填充导电材料实现电极与支撑基板的导通，在保证满足导电性的同时，对探测器热导的影响很小。本发明采用两步法减薄钽酸锂晶片，首先利用减薄效率高的机械研磨抛光减薄或离子束刻蚀减薄技术，使钽酸锂晶片接近目标厚度值，然后再利用化学腐蚀减薄去除前一步减薄的损伤层，并达到最终的目标厚度值。采用两步法减薄，既具有快速的减薄特点，同时又避免了钽酸锂晶片存在损伤层的问题。
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公开(公告)号：CN112786750B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110197020.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113913737A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111066615.0
申请日：2021-09-13
Applicant: 江苏大学
IPC: C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23F1/26 , C23F1/44 , F24S70/20 , F24S70/25
Abstract: 本发明涉及光吸收层，特指一种纳米NiCr/TiAlN双层薄膜及其制备方法。首先利用磁控溅射技术在Al2O3衬底上沉积TiAlN薄膜，然后在其上磁控溅射沉积NiCr‑Ti前驱体薄膜，接着利用氢氟酸溶液进行刻蚀，目的为了去掉前驱体薄膜中的部分Ti组元，最终形成多孔NiCr/TiAlN合金薄膜涂层材料。此种方法制备的双层薄膜多孔结构完整、连续，形状均匀、尺寸可控，层与层之间的界面附着力强。该薄膜对宽光谱具备高的吸收，在宽光谱吸收和发射涂层方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113776700A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111164280.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种电容式压力传感器电极及后端电路封接方法。采用陶瓷材料作为基底和敏感膜片，工艺过程包括电极图案制备、陶瓷片清洗、制备金电极、热处理金电极、丝网印刷浆料、封装、加压烧结以及电路连接与信号调理。本发明有效减少边缘效应的非线性问题，具有测量精度高、误差小、测量灵敏度高等特点，而且工艺成本低。
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公开(公告)号：CN113345972A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110302121.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光电薄膜及其制备方法，特别是一种分层多晶硒化铅薄膜及其制备方法。制备方法主要包括：(1)在衬底上用化学浴法制备致密硒化铅层；(2)在致密硒化铅层上用化学浴法制备疏松含氧碱式碳酸铅层；(3)将附有致密硒化铅层和含氧碱式碳酸铅层的样品置于含硒离子溶液中通过离子交换反应，最终形成分层多晶硒化铅薄膜。该制备方法工艺简便、成本低，可控性好，利用该方法制备的硒化铅薄膜由下层致密的多晶立方硒化铅层和上层疏松的多晶立方硒化铅层构成，可广泛应用于制造红外传感器、太阳能电池、激光发射、热电转化器等光电转换或者热电转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN111690902A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010400628.6
申请日：2020-05-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷电容式压力传感器导电薄膜的制备方法。该方法为：一、陶瓷基底表面打磨、清洗、烘干；二、磁控溅射镀制导电薄膜；三、高温热处理。本发明以金靶材和钛靶材作为主要原材料，制备的Ti/TiAu/Au的导电薄膜，Ti作为打底层，TiAu合金作为过渡层，Au作为导电层，大大降低了Au导电层的厚度，导电薄膜与陶瓷基底附着力强，结合强度高，导电性能好。本发明在磁控溅射制备导电薄膜后经过热处理，可增强导电薄膜与陶瓷基底的附着力，解决了陶瓷压力传感器芯片在高温焊接时出现电极呈“孤岛”状而失去导电性能的缺点。
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公开(公告)号：CN111229305A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010095791.6
申请日：2020-02-17
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种选择性还原催化剂，具体是一种钼改性的Fe-ZSM5分子筛催化剂及制备方法与应用。本发明采用H-ZSM5沸石分子筛作为基质，采用液态离子交换的方式向基质中引入铁离子后，经干燥、焙烧后得到分子筛。然后通过浸渍法掺杂钼离子和氧化镧，并加入分散剂和活性组分导入剂，经再一次干燥、焙烧后得到钼改性的分子筛。加入拟薄水铝石和增粘剂，于球磨搅拌机中搅拌后磁力搅拌0.5-2h得到涂覆前的浆料,并将此浆料负载于具有规整孔的载体材料后制备成铁和铈改性β分子筛选择性还原催化剂。本发明专利制备的钼改性的Fe-ZSM5分子筛选择性催化还原催化剂可在较低的温度下起燃，并具有较宽的稳定转化温度窗口。
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