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公开(公告)号：CN114249292B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202111436494.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源及其制造方法。所述MEMS红外光源在发热电极层和支撑材料背部(位于衬底空腔区域)引入对红外辐射具有高反射率的反射层，从而将发热电极层经由支撑薄膜向衬底空腔部分辐射的红外辐射能量反射回去，并通过发热电极层向上方辐射，加强能够被红外传感器利用的红外辐射能量，大幅提升MEMS红外光源的光电转换效率并降低加热功耗；同时引入超薄(厚度不大于1微米)红外发射层，在保证MEMS红外光源具有高的红外发射能力的同时，大幅降低发热电极层热质量，提升MEMS红外光源的调制频率并进一步降低加热功耗。
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公开(公告)号：CN115683350A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211331297.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光电信号采集技术领域，主要涉及一种应用于单通道铅盐光电探测器的微弱信号采集电路系统，用于采集铅盐红外光电探测器的信号。其包括：分压匹配电阻单元模块、隔直滤波电路单元模块、信号放大电路单元模块、模数转换单元模块以及数字信号采集处理单元模块。本发明在原有技术基础之上提出了一种可应用于单通道红外光电探测器低噪声、微弱信号采集电路。在对微弱的光电信号进行滤波处理之后并对信号进行放大，从而避免了光电信号被多种大噪声干扰，甚至淹没。因此，采用本信号采集电路系统能够更好地采集和分析光电信号，最终提高信号的精度和信噪比。
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公开(公告)号：CN114249292A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111436494.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源及其制造方法。所述MEMS红外光源在发热电极层和支撑材料背部(位于衬底空腔区域)引入对红外辐射具有高反射率的反射层，从而将发热电极层经由支撑薄膜向衬底空腔部分辐射的红外辐射能量反射回去，并通过发热电极层向上方辐射，加强能够被红外传感器利用的红外辐射能量，大幅提升MEMS红外光源的光电转换效率并降低加热功耗；同时引入超薄(厚度不大于1微米)红外发射层，在保证MEMS红外光源具有高的红外发射能力的同时，大幅降低发热电极层热质量，提升MEMS红外光源的调制频率并进一步降低加热功耗。
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公开(公告)号：CN112864293A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110206189.X
申请日：2021-02-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。所述芯片从下至上依次包括P电极、导电基板、第二焊接层、第一焊接层、P型欧姆接触层、P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层、N型AlGaN层和N电极，其特征在于：在所述芯片四周和内部的P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层和N型AlGaN层内含有沟槽，沟槽的底面和侧面有高反射率的复合反射镜，沟槽侧面和芯片表面具有合理的夹角，当TM偏振模式的深紫外光沿横向传播碰到沟槽侧面的复合反射镜时会发生反射而改变传播方向，使反射后的深紫外光主要沿垂直方向从芯片表面出射，从而显著提升深紫外LED的光提取效率，最终提升其外量子效率。
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公开(公告)号：CN112420829A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011320896.3
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112194507A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010996497.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种光热涂层及其制备方法，特别是抗高温热震、宽光谱高吸收的光热涂层及其制备方法。制备方法包括:(1)固相法合成宽光谱高吸收陶瓷粉体；(2)氧化铝陶瓷衬底预处理；(3)调制陶瓷粉体浆料；(4)在氧化铝基板正反两面涂敷陶瓷浆料；(5)在空气气氛炉中高温烧结制备多孔陶瓷涂层。该制备方法工艺简便、成本低，利用该方法制备的多孔陶瓷涂层为具有微米级大孔的网络多孔结构，在涂层和衬底之间形成一定厚度的过渡层，在0.3‑14μm波段范围内吸收率平均在92％以上，且耐高温、抗热震，可广泛应用于激光能量计、激光功率计、红外传感器、热辐射探测器等光热转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN111863959B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010519526.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种垂直结构高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、位错调控结构、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，在栅极电极正下方的高阻层内设有垂直导电通道，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，所述位错调控结构在位错线附近形成对其余区域的相对高阻，从而使AlGaN/GaN HEMT器件在承受高电压的状态下，漏电流不从位错线处大量通过，而是被均匀分配到整个HEMT器件截面内，使得击穿性能向GaN理论击穿强度靠近，提升AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN111863958B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010518625.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常开型垂直结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、源极电极和栅极电极，特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道，可以获得更低的导通电阻。还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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公开(公告)号：CN111863957B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010518624.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道,可以获得更低的导通电阻。本发明还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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公开(公告)号：CN112517352B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011091750.6
申请日：2020-10-13
Applicant: 江苏大学
IPC: B05D5/02 , B05D3/02 , C09D5/32 , C09D133/04
Abstract: 本发明涉及宽光谱吸收涂层，特指一种纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层及制备方法。本发明将微米碳颗粒(CMP)、纳米碳颗粒(CNP)、Si3N4和TiN纳米颗粒依次添加到树脂溶剂中，然后通过高压静电喷涂制备为超宽光谱吸收涂层。在高压静电喷涂过程中，大量带电的CMP相互排斥，形成多孔骨架，CNP、Si3N4和TiN纳米颗粒负载在CMP表面，形成纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层。得益于CMP，CNP，Si3N4和TiN的协同作用，本发明公开的纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层不仅可以形成操控入射光波的引导多孔模式；同时负载的纳米粒子可提供多次反射和散射，使光传播路径增加，从而导致涂层的吸收增强。
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