-
公开(公告)号：CN118215382A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410348532.8
申请日：2024-03-26
Applicant: 江苏大学
IPC: H10N15/10
Abstract: 本发明属于半导体器件制备领域，特别是涉及一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法。该探测器，从下至上依次包括支撑基板、隔热层、第一键合层、第二键合层、第一电极层、钽酸锂晶片、第二电极层、红外吸收层，支撑基板和隔热层共同构成复合支撑结构，实现了对钽酸锂晶片的整体支撑，没有悬空区域，从根源上避免了现有钽酸锂热释电红外探测器中钽酸锂晶片局部悬空的问题，改善了钽酸锂热释电红外探测器抵抗外界机械振动的能力，极大的降低了钽酸锂热释电红外探测器的麦克风效应，同时隔热层热导率小于等于0.05W/(m·K)能够确保隔热性能，使钽酸锂热释电红外探测器保持高的探测率。
-
公开(公告)号：CN114180538B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111436517.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及光电薄膜，特指一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法。首先将沉积于衬底上的P型PbSe薄膜置入强氧化剂溶液中进行氧化处理，在P型PbSe光电薄膜表面形成PbSexO1‑x，0.2≤x≤0.8化合物，其次将氧化处理后的P型PbSe光电薄膜浸入含碘化合物溶液中进行碘化处理，使得P型PbSe光电薄膜表面的PbSexO1‑x化合物转化成碘化物，完成碘元素的引入，最后在含氧气氛中进行退火处理，使得P型PbSe光电薄膜表面形成n型的PbSexO1‑xIy化合物，0.2≤x≤0.8,0.3≤y≤0.7，完成敏化处理。本发明很好地解决了现有PbSe敏化处理工艺存在的问题，同时简单方便，可重复性好。
-
公开(公告)号：CN112420828A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011319808.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。与现有常规平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管相比，本发明提供的结构将源极和漏极设在器件的上下两侧，有利于解决平面结构所面临的在大栅极偏压或者高频条件下会出现电流崩塌效应，工作在高温、大功率环境时会产生“自热效应”等问题。本发明采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN112397586A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011320469.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN114249292B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202111436494.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源及其制造方法。所述MEMS红外光源在发热电极层和支撑材料背部(位于衬底空腔区域)引入对红外辐射具有高反射率的反射层，从而将发热电极层经由支撑薄膜向衬底空腔部分辐射的红外辐射能量反射回去，并通过发热电极层向上方辐射，加强能够被红外传感器利用的红外辐射能量，大幅提升MEMS红外光源的光电转换效率并降低加热功耗；同时引入超薄(厚度不大于1微米)红外发射层，在保证MEMS红外光源具有高的红外发射能力的同时，大幅降低发热电极层热质量，提升MEMS红外光源的调制频率并进一步降低加热功耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115683350A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211331297.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光电信号采集技术领域，主要涉及一种应用于单通道铅盐光电探测器的微弱信号采集电路系统，用于采集铅盐红外光电探测器的信号。其包括：分压匹配电阻单元模块、隔直滤波电路单元模块、信号放大电路单元模块、模数转换单元模块以及数字信号采集处理单元模块。本发明在原有技术基础之上提出了一种可应用于单通道红外光电探测器低噪声、微弱信号采集电路。在对微弱的光电信号进行滤波处理之后并对信号进行放大，从而避免了光电信号被多种大噪声干扰，甚至淹没。因此，采用本信号采集电路系统能够更好地采集和分析光电信号，最终提高信号的精度和信噪比。
-
公开(公告)号：CN114249292A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111436494.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源及其制造方法。所述MEMS红外光源在发热电极层和支撑材料背部(位于衬底空腔区域)引入对红外辐射具有高反射率的反射层，从而将发热电极层经由支撑薄膜向衬底空腔部分辐射的红外辐射能量反射回去，并通过发热电极层向上方辐射，加强能够被红外传感器利用的红外辐射能量，大幅提升MEMS红外光源的光电转换效率并降低加热功耗；同时引入超薄(厚度不大于1微米)红外发射层，在保证MEMS红外光源具有高的红外发射能力的同时，大幅降低发热电极层热质量，提升MEMS红外光源的调制频率并进一步降低加热功耗。
-
公开(公告)号：CN112864293A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110206189.X
申请日：2021-02-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。所述芯片从下至上依次包括P电极、导电基板、第二焊接层、第一焊接层、P型欧姆接触层、P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层、N型AlGaN层和N电极，其特征在于：在所述芯片四周和内部的P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层和N型AlGaN层内含有沟槽，沟槽的底面和侧面有高反射率的复合反射镜，沟槽侧面和芯片表面具有合理的夹角，当TM偏振模式的深紫外光沿横向传播碰到沟槽侧面的复合反射镜时会发生反射而改变传播方向，使反射后的深紫外光主要沿垂直方向从芯片表面出射，从而显著提升深紫外LED的光提取效率，最终提升其外量子效率。
-
公开(公告)号：CN112420829A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011320896.3
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN111863959B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010519526.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种垂直结构高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、位错调控结构、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，在栅极电极正下方的高阻层内设有垂直导电通道，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，所述位错调控结构在位错线附近形成对其余区域的相对高阻，从而使AlGaN/GaN HEMT器件在承受高电压的状态下，漏电流不从位错线处大量通过，而是被均匀分配到整个HEMT器件截面内，使得击穿性能向GaN理论击穿强度靠近，提升AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.016 seconds)
