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公开(公告)号：CN104108930B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410349447.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1?x)Bi1/2Na1/2TiO3?x(La,Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La,Bi)中La:Bi=1:1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN105236750A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510426311.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土离子掺杂的磷酸盐微晶玻璃及其制备方法。其摩尔百分比组成为P2O540-50％、ZnO33-43％、SrO15％、MO22％和RexOy0.1-2％（x=0,y=1;x=2,y=3）准确称量各种原料，其中，符号M为Ti，Zr中的一种，RexOy为外加，符号Re为三价稀土离子Tm3+，Ce3+、Tb3+，Dy3+，Eu3+、Sm3+和二价Mn2+中的两种或三种的组合。该微晶玻璃呈透明状，物理化学性能优良。在紫外光激发下，可以发出明亮耀眼的白光。通过调控玻璃组成、稀土离子种类和浓度以及激发波长可方便地调节荧光微晶玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。
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公开(公告)号：CN104891986A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510245228.1
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种，且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体，然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8？J/cm3，储能密度大小基于成分和工艺可调。
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公开(公告)号：CN103803966B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310701726.3
申请日：2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN104649663A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510104202.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1-x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3-x(35BaO-15ZnO-10Al2O3-20B2O3-20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104649660A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1-u)BiFe1-xMexO3–uBaTi1- yZn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN104124349A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410394162.8
申请日：2014-08-12
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/5072
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的高效率黄绿光有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和反射金属阴极，通过阳极由正向负连接反射金属阴极构成外电路，通以直流电出射发光线从衬底下方发出。其特征是：位于空穴传输层与电子注入层之间的黄绿光发光层兼具有电子传输层的功能，该层由发绿光的主发光体中掺杂发黄光的客发光体构成；空穴传输层由迁移率较低的空穴传输材料构成。该双层结构器件在简化器件结构的同时其发光效率与相应的三层结构器件基本相当，而且电致发光光谱和色坐标几乎没有变化。
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公开(公告)号：CN103274684B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310235066.4
申请日：2013-06-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。
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公开(公告)号：CN103951187A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410165081.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种白光LED用发光玻璃材料及其制备方法，其制备方法是以磷酸二氢铵（NH4H2PO4）、氧化锌（ZnO）、碳酸钾（K2CO3）、碳酸锶(SrCO3)、碳酸锰（MnCO3）、氧化铥（Tm2O3）、氧化铽（Tb4O7）为原料，按照组分式aZnO-bSrO-cP2O5-dK2O-eTm2O3-fTb4O7-gMnO配料。经球磨混料12h后烘干，在1150-1200℃保温0.5-1.5h得到熔化的玻璃液；再经成型、退火得到均匀透明的发光玻璃材料。这种白光LED用发光玻璃材料制备工艺简单，熔化温度较低，制备成本低，发光玻璃在紫外光激发下得到白光，并且白光的光色品质调控可通过调节玻璃组成、离子掺杂浓度和激发波长方便实现，从而有望实现节能，环保，简化封装工艺的目的。
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