公开(公告)号：CN105701991A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410699732.4

申请日：2014-11-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马耀飞 ,  周沁 ,  江吉朝 ,  陈艳 ,  杨华斌 ,  苏成志 ,  陈德东 ,  甘芳瑜 ,  覃芳梅 ,  赵亚洲

IPC: G08B21/24

Abstract: 本发明公开了一种蓝牙耳机式智能防近视仪，其特征是：设有蓝牙耳机式外壳，在蓝牙式耳机外壳表面设置有开关、控制按键、指示灯、显示屏，与设置在壳体内的智能测距和警示提醒控制系统连接，智能测距和警示提醒控制系统还与蜂鸣器连接。本发明的优点：体积小、质量轻、测距更精准、脉冲和连续超声波两种工作模式节能设计，能耗低，无干扰警示提醒，能有效地保护眼睛和预防近视，是保护孩子眼睛的有效产品。

公开(公告)号：CN103708829B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310702273.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨涛 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005

公开(公告)号：CN104108935A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410350865.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示，其中x表示摩尔分数，0 700oC，绿色环保。

公开(公告)号：CN104108930A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410349447.X

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-x(La，Bi)2/3TiO3+zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La，Bi)中La∶Bi=1∶1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0＜x＜0.3，0＜z≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成，采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性，降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好，介电常数大，具有低的介电性能温度系数，适合高温MLCC介质使用。

公开(公告)号：CN103172370B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310081345.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  成钧 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103159475A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310081346.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285792A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162433.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  单旭 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN118637900A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410812857.7

申请日：2024-06-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 邱少鸿 ,  杨华斌 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  罗秋玲 ,  朱佳铭 ,  盘小慧

IPC: C04B35/26 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种兼具高压电性能和热稳定性的铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷的织构制备方法，所述陶瓷的化学组成通式为(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3+yBa(W0.5Cu0.5)O3+tLi2CO3+mMnO2，其中x、y、t和m均表示摩尔分数，且0.25

公开(公告)号：CN118479871A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410744599.3

申请日：2024-06-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  朱佳铭 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  罗秋玲 ,  邱少鸿 ,  盘小慧

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种兼具高温稳定性和高压电性能的五元系BF‑BT基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(1‑y)[(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3)]‑y[0.8(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.2(Bi0.5K0.5)TiO3]‑zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uMnO2+vLi2CO3，x、y、z、u和v表示摩尔分数，0.30≤x≤0.40，0

公开(公告)号：CN115093212A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210912503.0

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 程帅 ,  王鑫 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种使用温度超过300℃的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温液相烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol％MnCO3+x[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3+yB2O3，其中u、x、y和t表示摩尔分数，[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3及B2O3为烧结助剂，且0.25≤u≤0.40，0＜x≤0.01，0＜y≤0.05，0≤t≤0.5。本发明利用具有低容忍因子的[Bi0.5(NatLi1‑t)]TiO3，在降低(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3陶瓷烧结温度的同时，又提高了该陶瓷的高温压电性能和高温稳定性，获得了在高温下具有优异压电性能的无铅压电陶瓷，使用温度超过300℃，在T＞300℃时，其压电性能可达400pC/N以上，最高原位退极化温度点达到360℃，相比于现有压电陶瓷，高温压电性能得到了大幅提升。