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公开(公告)号:CN206574856U
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201720284292.5
申请日:2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开了一种反射型超宽带太赫兹极化可重构圆极化器,由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成;所述的单元结构包括依次堆放的金属地板层、中间介质层和双开口谐振方环结构层;所述的金属双开口谐振方环结构层是由两个成中心对称的L形金属条组成各向异性的双开口方环结构。该极化器具有很强的实用性,能在太赫兹波段超宽带范围内高效地将线极化波转换为圆极化波,而且结构简单,易于加工、在宽入射角范围内仍具有良好的线-圆极化转换性能、具有极化可重构的特点。此外,通过调整结构参数,该极化器还能用于其它频段,在天线设计、隐身技术等方面具有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN202034481U
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201120053425.0
申请日:2011-03-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种超介质智能加载天线,其主要由接地板以及从接地板上延伸出的天线阵列组成,所述天线阵列包括一单极子和一圆柱形的超介质层,超介质层围绕单极子设置并与单极子相耦合;上述超介质层是由圆周方向上的N列以及铅垂方向上的M层的细圆柱形的金属棒围绕而成的立体均匀圆阵列,其中N介于6~20之间,M介于5~20之间;上述每2层金属棒之间设有绝缘介质使金属棒的层与层之间绝缘隔离。本实用新型不仅能提供高增益的定向波束,而且能实现高质量的全向辐射。
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公开(公告)号:CN217114813U
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202220728074.7
申请日:2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阴面相位梯度超表面结构,包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构,所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理,阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补,将原本非金属部分填充为金属,利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面,可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成,结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征,即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性,若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。
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公开(公告)号:CN215869816U
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202122320625.4
申请日:2021-09-24
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超材料的宽带极化器,所述第一层介质板、所述第二层介质板、所述第三层介质板、所述第四层介质板和所述铜接地板依次排布,所述第一开口谐振圆环设置在所述第一层介质板和所述第二层介质板之间,所述第二开口谐振圆环设置在所述第二层介质板和所述第三层介质板之间,所述第三开口谐振圆环设置在第三层介质板和所述第四层介质板之间,所述第一开口谐振圆环、所述第二开口谐振圆环和所述第三开口谐振圆环呈同心圆样式布置,所述基于超材料的宽带极化器实现了整体高度为12.8mm的多层谐振环叠加结构,同时在2.7至4.6GHz频段内实现了99%以上的极化转换特性。
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公开(公告)号:CN215869814U
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202121234702.8
申请日:2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线,所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙,所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内,所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合,电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射,通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面,再通过超表面单元辐射的原理,设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反,从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量,通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单,且易于加工,既能实现天线的高增益,又能扩展天线的带宽。
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公开(公告)号:CN204011707U
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201420399374.0
申请日:2014-07-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于石墨烯的频率可重构天线,包括天线本体,所述天线本体包括馈电端口、上部的石墨烯层、中部的非导电介质层和下部的导电介质层;其中非导电介质层与石墨烯层的相交面形成上界面,非导电介质层与导电介质层的相交面形成下界面。馈电端口设置在石墨烯层的一端,且上下界面之间的垂直距离从馈电端口的正下方处向另一侧渐变;或馈电端口设置在石墨烯的中间,上下界面之间的垂直距离从中间的馈电端口的正下方处,向两侧对称渐变。本实用新型可通过调节外加偏置电压来连续调控天线工作频率,克服了以往频率可重构天线对频率的调控上不能连续调谐的缺点。
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公开(公告)号:CN204011624U
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201420406655.4
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本实用新型公开一种基于石墨烯的波导路径选择器,包括选择器本体,该选择器整体呈一长方体,且该选择器主要由石墨烯材料制成的石墨烯层,半导体材料制成的连续涂层和间断凹槽层,以及非导电材料制成的基片层、正阶梯体、填充层和凹阶梯体组成。本实用新型利用了石墨烯所具有的电压可调特性来构建一个波导路径选择器,这样能够通过不断改变电压从而控制SPP波在石墨烯上不同区域的导通与断开,进而实现波导路径选择。此外,本实用新型还利用了石墨烯的电导率的虚部大于零时会表现出金属性,且电磁波进入后不会产生较大衰减的特性,使得SPP波在波导路径选择器中传播的距离相对较远。
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公开(公告)号:CN213584169U
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202022569668.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线,通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽,所述金属地面宽度越窄带宽越宽,在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征,在带宽范围内,H面图的波束宽度得到充分展宽,在某些频点呈现近全向特征,同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束;另外,相较于常规同类贴片天线,可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本实用新型可经过相应调整,解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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公开(公告)号:CN206961985U
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201720413712.5
申请日:2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/163
Abstract: 本实用新型公开一种Ka波段圆波导TE01模式激励器,由正交波导、矩形阶梯波导、均匀方波导、骨形阶梯波导和均匀圆波导组成。正交波导的一个端口形成模式激励器的输入端口;正交波导的另一端口与矩形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接,矩形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀方波导的一个端口连接;均匀方波导的另一个端口与骨形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接,骨形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀圆波导的一个端口连接,均匀圆波导的另一个端口形成模式激励器的输出端口。本实用新型具有高转换效率,高模式纯度,结构紧凑、易于加工和宽频带的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN206098621U
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201620906531.1
申请日:2016-08-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种基于石墨烯DC接触的双功能极化转换器,基底包括金属底层、硅中层和二氧化硅表层,人工结构为在基底表层上排成阵列的单元结构,所述单元结构为相互正交、中心重合的“工”型石墨烯臂与金属臂,石墨烯臂压在金属臂下方。纵向的石墨烯臂相互连接,横向的金属臂之间有间隙,单元结构阵列的中心处于基底中心线上,纵横向为10~200个单元结构,数量相等。“工”型石墨烯臂与金属臂均以纵向中心线左右对称、以横向中心线上下对称。本实用新型不改变结构参数,改变偏置电压Vg即可实现线极化和圆极化转换两种功能的切换;石墨烯臂首尾相连形成DC接触,利于石墨烯偏压的一体化控制;结构简单,易于加工生产;转换效率高达99%。
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