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公开(公告)号:CN114824810A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210315126.2
申请日:2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种阴面相位梯度超表面结构,包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构,所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理,阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补,将原本非金属部分填充为金属,利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面,可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成,结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征,即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性,若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。
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公开(公告)号:CN217114813U
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202220728074.7
申请日:2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阴面相位梯度超表面结构,包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构,所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理,阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补,将原本非金属部分填充为金属,利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面,可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成,结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征,即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性,若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。
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