薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1667840A

    公开(公告)日:2005-09-14

    申请号:CN200510054713.7

    申请日:2005-03-14

    Abstract: 本发明提供了一种半导体元件,即使其衬底受热收缩影响极大,例如其衬底为大尺寸衬底,该元件的工作也不受影响。此外,本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外,即使出现轻微的掩模版偏移时,半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些,形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域,该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外,形成对应于各个栅电极的源区和漏区,使得电流流过各个栅电极相应沟道区的方向相反。另外,电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

    脉冲输出电路,移位寄存器,和电子设备

    公开(公告)号:CN1518221A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN200410002830.4

    申请日:2004-01-17

    CPC classification number: G11C19/28 G09G3/3688 G09G2310/0275 G11C19/00

    Abstract: 一种显示装置驱动电路,包括单一导电类型的TFT,并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT,节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD-VthN)时,该节点α变为浮置状态。相应地,TFT105导通,当时钟信号变为高电平时,一个输出节点的电位升高。另一方面,当所述输出节点的电位升高时,由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高,从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD-VthN)。这样,输出节点的电位升高到VDD,而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103,使TFT103导通,同时TFT102和106的节点α的电位下降,使得TFT105截止。结果,输出节点的电位变为低电平。

    显示装置
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114185216B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202210029672.X

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括:信号线;扫描线;第一电极;第二电极;第三电极;第一像素电极;第二像素电极;以及半导体膜,其中,信号线与扫描线交叉,第一电极与信号线电连接,第一电极包括与扫描线重叠的区域,第二电极与第一电极对置,第三电极与第一电极对置,第一像素电极与第二电极电连接,第二像素电极与第三电极电连接,半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触,并且,半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

    显示装置和包括显示装置的电子设备

    公开(公告)号:CN112447130B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202011381869.7

    申请日:2010-09-24

    Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路,在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体,并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此,即使在显示静止图像的情况下,也能容易地执行稳定的操作。此外,可以延长驱动器电路的操作间隔,这使得显示装置的功耗降低。而且,在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光,由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。

    发光装置
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111129039B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201911375684.2

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅极重叠的第一半导体区域;与源极或漏极接触的第二半导体区域;以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

    显示装置
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105452981B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201480043745.4

    申请日:2014-07-22

    Abstract: 提供一种低耗电量的显示装置。另外,提供一种在折叠状态下能够使用的区域中显示图像的显示装置。构想出的显示装置包括能够展开及折叠的显示部、检测上述折叠状态的检测部、当显示部为折叠状态时生成在显示部的一部分中显示黑图像的图像的图像处理部。

    半导体装置、驱动电路及显示装置

    公开(公告)号:CN104282687B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201410327173.4

    申请日:2014-07-10

    Abstract: 本发明提供一种通过栅极驱动器电路的设计实现窄边框化的半导体装置。显示装置的栅极驱动器包括移位寄存器单元、解复用器电路以及n个信号线。通过使移位寄存器单元的每一级与传输时钟信号的n个信号线连接,能够输出(n‑3)个输出信号,n越大,传输无助于输出的时钟信号的信号线的比例越小,所以与移位寄存器单元的每一级输出1个输出信号的现有的结构相比,移位寄存器单元部分的占有面积变小,由此能够实现栅极驱动器电路的窄边框化。

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